這種光提取效率對(duì)于一個(gè)未封裝的LED是非常重要的，原因有兩個(gè)方面。首先，LED封裝中使用的有機(jī)材料用于高強(qiáng)度降解，因此，不適合大功率LED。

　　其次，使用封裝材料可降低LED的亮度；這是因?yàn)?，封裝材料比空氣有較高的折射率，可直接與LED發(fā)射器接觸。這就意味著，與存在空氣間隙相比，從發(fā)射器中發(fā)出的光線可以以更高角度進(jìn)入封裝材料中，增加LED的“光學(xué)角度”。（對(duì)于一個(gè)典型的封裝LED而言，其亮度的降低歸因于這兩因素之一。）

　　氮化鎵（GaN ）基LED非常?。?00nm），并在其表層有一個(gè)六角形的光子晶體模式，晶格常數(shù)為455nm，深度為250nm。這種新版本LED至少可以在某種程度上勝過(guò)其它光子晶體LED，因?yàn)樗浅１?，以致于LED只允許獲取極少的光學(xué)模式，這樣，研究人員就可以對(duì)產(chǎn)生的極少光學(xué)模式進(jìn)行優(yōu)化。

　　LED是由藍(lán)寶石上的多量子阱生長(zhǎng)而成的，發(fā)射的最高波長(zhǎng)是450納米（nm），尺寸是200×200微米。發(fā)射器下的反射器為低損耗銀制品。為了弄清楚剩余光（非提取的）的去向，研究人員做了一個(gè)模擬試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)大約一半光由量子阱吸收，另外一半則由反射器吸收。（http://www.ledsmagazine.com/news/6/3/15）