由于藍(lán)寶石基板的導(dǎo)熱系數(shù)差，影響LED的發(fā)光效率。為了解決LED的散熱難題，未來有可能將主要采用垂直結(jié)構(gòu)LED的架構(gòu)，促進(jìn)LED產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展。關(guān)于垂直結(jié)構(gòu)LED技術(shù)相信大家都有所耳聞，下面僅從技術(shù)表層進(jìn)行介紹，謹(jǐn)供參考。

　　我們知道，LED芯片有兩種基本結(jié)構(gòu)，橫向結(jié)構(gòu)（Lateral）和垂直結(jié)構(gòu)（Vertical）。橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的兩個電極在LED芯片的同一側(cè)，電流在n-和p-類型限制層中橫向流動不等的距離。垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片的兩個電極分別在LED外延層的兩側(cè)，由于圖形化電極和全部的p-類型限制層作為第二電極，使得電流幾乎全部垂直流過LED外延層，極少橫向流動的電流，可以改善平面結(jié)構(gòu)的電流分布問題，提高發(fā)光效率，也可以解決P極的遮光問題，提升LED的發(fā)光面積。

　　我們先來了解下垂直結(jié)構(gòu)LED的制造技術(shù)與基本方法：

　　制造垂直結(jié)構(gòu)LED芯片技術(shù)主要有三種方法：

　　一、采用碳化硅基板生長GaN薄膜，優(yōu)點是在相同操作電流條件下，光衰少、壽命長，不足處是硅基板會吸光。

　　二、利用芯片黏合及剝離技術(shù)制造。優(yōu)點是光衰少、壽命長，不足處是須對LED表面進(jìn)行處理以提高發(fā)光效率。

　　三、是采用異質(zhì)基板如硅基板成長氮化鎵LED磊晶層，優(yōu)點是散熱好、易加工。