為了獲得充分的白光LED光束，曾經(jīng)開發(fā)大尺寸LED芯片，試圖以此方式達(dá)成預(yù)期目標(biāo)。實(shí)際上在白光LED上施加的電功率持續(xù)超過1W以上時(shí)光束反而會(huì)下降，發(fā)光效率則相對(duì)降低20%~30%，提高白光LED的輸入功率和發(fā)光效率必須克服的問題有：抑制溫升;確保使用壽命;改善發(fā)光效率;發(fā)光特性均等化。

　　增加功率會(huì)使用白光LED封裝的熱阻抗下降至10K/W以下，因此國(guó)外曾經(jīng)開發(fā)耐高溫白光LED，試圖以此改善溫升問題。因大功率白光LED的發(fā)熱量比小功率白光LED高數(shù)十倍以上，即使白光LED的封裝允許高熱量，但白光LED芯片的允許溫度是一定的。抑制溫升的具體方法是降低封裝的熱阻抗。

　　提高白光LED使用壽命的具體方法是改善芯片外形，采用小型芯片。因白光LED的發(fā)光頻譜中含有波長(zhǎng)低于450nm的短波長(zhǎng)光線，傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂密封材料極易被短波長(zhǎng)光線破壞，高功率白光LED的大光量更加速了密封材料的劣化。改用硅質(zhì)密封材料與陶瓷封裝材料，能使白光LED的使用壽命提高一位數(shù)。

　　改善白光LED的發(fā)光效率的具體方法是改善芯片結(jié)構(gòu)與封裝結(jié)構(gòu)，達(dá)到與低功率白光LED相同的水準(zhǔn)，主要原因是電流密度提高2倍以上時(shí)，不但不容易從大型芯片取出光線，結(jié)果反而會(huì)造成發(fā)光效率不如低功率白光LED，如果改善芯片的電極構(gòu)造，理論上就可以解決上述取光問題。

　　實(shí)現(xiàn)發(fā)光特性均勻化的具體方法是改善白光LED的封裝方法，一般認(rèn)為只要改善白光LED的熒光體材料濃度均勻性與熒光體的制作技術(shù)就可以克服上述困擾。

　　減少熱阻抗、改善散熱問題的具體內(nèi)容分別是：

　?、?降低芯片到封裝的熱阻抗。

　?、?抑制封裝至印制電路基板的熱阻抗。

　?、?提高芯片的散熱順暢性。

　　為了降低熱阻抗，國(guó)外許多LED廠商將LED芯片設(shè)在銅與陶瓷材料制成的散熱鰭片表面，如圖1所示，用焊接方式將印制電路板上散熱用導(dǎo)線連接到利用冷卻風(fēng)扇強(qiáng)制空冷的散熱鰭片上。德國(guó)OSRAM Opto Semiconductors Gmb 實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，上述結(jié)構(gòu)的LED芯片到焊接點(diǎn)的熱阻抗可以降低9K/W，大約是傳統(tǒng)LED的1/6左右。封裝后的LED施加2W的電功率時(shí)，LED芯片的溫度比焊接點(diǎn)高18℃，即使印制電路板的溫度上升到500℃，LED芯片的溫度也只有700℃左右。熱阻抗一旦降低，LED芯片的溫度就會(huì)受到印制電路板溫度的影響，為此必須降低LED芯片到焊接點(diǎn)的熱阻抗。反過來說，即使白光LED具備抑制熱阻抗的結(jié)構(gòu)，如果熱量無法從LED封裝傳導(dǎo)到印制電路板的話， LED溫度的上升將使其發(fā)光效率下降，因此松下公司開發(fā)出了印制電路板與封裝一體化技術(shù)，該公司將邊長(zhǎng)為1mm的正方形藍(lán)光LED以覆芯片化方式封裝在陶瓷基板上，接著再將陶瓷基板粘貼在銅質(zhì)印制電路板表面，包含印制電路板在內(nèi)模塊整體的熱阻抗大約是15K/W。

(a) OSRAM LED的封裝方式

(b) CITIZEN LED的封裝方式

圖1 LED散熱結(jié)構(gòu)