編者按：早在中國遠(yuǎn)古時(shí)代，四大發(fā)明的出現(xiàn)，就標(biāo)志著中國專利技術(shù)的誕生，從此就奠定下中國由古代文明逐漸步入現(xiàn)代文明的牢固基石。在這場由半導(dǎo)體引發(fā)的世界范圍內(nèi)的照明光源的革命中，涌現(xiàn)了大批的專利技術(shù)，它們從不同角度、不同層次，推動著LED技術(shù)的日臻完善，其專利重要性不言而喻。下面我們就來看看大功率LED專利技術(shù)目前的發(fā)展?fàn)顩r，將會對之有一個(gè)更深刻的認(rèn)識，從而知其然與所以然，彌補(bǔ)不足之處，共促發(fā)展。

半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景

LED照明是半導(dǎo)體和傳統(tǒng)照明產(chǎn)業(yè)結(jié)合的新興產(chǎn)業(yè)，是最具有發(fā)展前景的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)之一。半導(dǎo)體照明作為新型高效固體光源具有長壽命、節(jié)能、綠色環(huán)保、色彩豐富、微型化等顯著特點(diǎn)，將成為人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一次飛躍，半導(dǎo)體照明正在引發(fā)世界范圍內(nèi)的照明光源的一次革命。2003年6月國家啟動半導(dǎo)體照明工程，2006年國家正式將“半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)化技術(shù)開發(fā)”作為“十一五”科技攻關(guān)重大項(xiàng)目。科技部建議：在將半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)化納入國家重點(diǎn)發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的同時(shí)，以2008年北京奧運(yùn)和2010年上海世博為契機(jī)推動半導(dǎo)體照明在工程中的運(yùn)用。

據(jù)行業(yè)分析機(jī)構(gòu)CIR的研究報(bào)告預(yù)測，全球LED市場銷售額將從2004年的32億美元增至2008年56億美元，而大功率高亮度LED或基于LED的燈具由16億元增至2億美元，據(jù)美國Strategies Unlimited預(yù)測2010年將達(dá)5萬億美元，成為全球最大產(chǎn)業(yè)之一。Strategies Unlimited公司針對全球HB-LED及其照明市場的發(fā)展，預(yù)計(jì)未來整個(gè)HB-LED市場的年均增長率為21%，2007年將達(dá)47億美元；而HB-LED照明市場年增長率更將高達(dá)44%，2007年可望達(dá)到5.2億美元。屆時(shí)，HB-LED照明市場所占整個(gè)HB-LED市場的份額將由2002年的5%提升到11%。2007年以后，HB-LED照明市場仍將繼續(xù)增長，過了2010年，在世界照明市場上，HB-LED可占有很大的比重。隨著高功率的LED出現(xiàn)，二十一世紀(jì)將進(jìn)入以LED為代表的新型照明光源時(shí)代，被稱為第四代新光源。

LED要在照明領(lǐng)域發(fā)展，進(jìn)入特種照明的市場領(lǐng)域，并向普通照明市場邁進(jìn)，關(guān)鍵是要將其發(fā)光效率、光通量提高至現(xiàn)有照明光源的等級，即需要研制大功率LED。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點(diǎn)要求：一是封裝結(jié)構(gòu)要具有高取光效率；其二是熱阻要盡可能低，以保證功率LED的光電性能和可靠性。功率型LED所用的外延材料采用MOCVD的外延生長技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)，雖然其內(nèi)量子效率還需進(jìn)一步提高，但獲得高發(fā)光通量的最大障礙仍是芯片的取光效率低?，F(xiàn)有的功率型LED的設(shè)計(jì)采用了倒裝焊新結(jié)構(gòu)來提高芯片的取光效率，改善芯片的熱特性，并通過增大芯片面積，加大工作電流來提高器件的光電轉(zhuǎn)換效率，從而獲得較高的發(fā)光通量。除了芯片外，LED封裝產(chǎn)品在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展上起著承上啟下的作用。業(yè)界應(yīng)`投入更大的力度進(jìn)行研究開發(fā)，以擁有自主產(chǎn)權(quán)的封裝技術(shù)，從而趕上世界的封裝水平。只有提高封裝水平，才能真正使LED產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)，為我國開發(fā)國際市場，參與國際市場競爭以及拓展應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域和市場打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。另外，只有把封裝產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)，才能促進(jìn)前工序外延、芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，才能使整個(gè)LED產(chǎn)業(yè)鏈獲得更大地發(fā)展。 知識產(chǎn)權(quán)狀況左右著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國際分工和相應(yīng)的利益分配，要想提高我國半導(dǎo)體照明領(lǐng)域的國際競爭力，必須在高功率領(lǐng)域有自主知識產(chǎn)權(quán)。那么目前在國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)特別是大功率LED的專利部署方面情況怎樣？其部署狀態(tài)如何？

專利技術(shù)分布

我國國家知識產(chǎn)權(quán)局總計(jì)公開約408項(xiàng)大功率LED封裝的專利文獻(xiàn)，發(fā)明文獻(xiàn)約占16%，其中公司發(fā)明專利申請中有南京漢德森半導(dǎo)體照明有限公司、大連路美光電公司、方大集團(tuán)、臺灣詮興開發(fā)科技、光磊、光鼎、國聯(lián)，國外有豐田合成、安捷倫科技、松下電工、LG電子公司、克立、奧斯蘭姆、西鐵城電子股份有限公司等專利技術(shù)分布最廣，技術(shù)性最強(qiáng)，其中詮興開發(fā)科技、國聯(lián)、西鐵城電子、奧斯蘭姆申請并授權(quán)專利量最大，基本專利最多、最強(qiáng)。個(gè)人發(fā)明專利申請中，葛世潮、陳鴻文、朱建欽的文獻(xiàn)較多。從技術(shù)內(nèi)容看，國家知識產(chǎn)權(quán)局專利技術(shù)文獻(xiàn)主要分布在如下領(lǐng)域：

第一、基底散熱技術(shù)

西鐵城電子的03110492.4號文獻(xiàn)涉及用于發(fā)光二極管的基片。這種基片包括一對金屬基底和設(shè)置于兩金屬基底之間的第一絕熱層。第二絕熱層牢固地裝在金屬基底上，并且一對電路圖案牢固地裝在第二絕熱層上以用來安裝發(fā)光二極管。其高熱輻射性能以及優(yōu)秀的絕熱性能且可靠的基片，特別適用于諸如便攜式裝備之類。葛世潮個(gè)人專利200310113782.1號文獻(xiàn)涉及大功率發(fā)光二極管基片。它包括有至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片，所述芯片p-n結(jié)外表面上的光反射金屬電極經(jīng)高熱導(dǎo)率材料直接貼裝在一個(gè)金屬底座上或經(jīng)熱導(dǎo)率比銅高幾倍的金剛石基板貼裝在一個(gè)金屬底座上，所述高熱導(dǎo)率粘貼材料可為混有小銀珠或小金珠的焊錫、金剛石粉導(dǎo)熱膠或混有銀珠、銀粉的導(dǎo)熱膠；所述芯片的電極經(jīng)金剛石基板上的導(dǎo)電層或電路板引出，所述金屬底座有至少一個(gè)螺絲或螺絲孔，用于連接散熱器；芯片和金屬底座上有透光介質(zhì)、透鏡、發(fā)光材料，它可用于制造發(fā)光二極管燈、太陽能發(fā)光二極管燈、液晶顯示的背照明和信息顯示等。南京漢德森半導(dǎo)體照明有限公司的200510040764.4號文獻(xiàn)涉及高散熱效率的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座及生產(chǎn)工藝，主要特征如下：在保持封裝基座的外形尺寸不變和易于批量生產(chǎn)的情況下，擴(kuò)大熱沉底部的接觸面積。主要工藝步驟如下：制造金屬支架模片，注塑金屬支架模片形成封裝基座模片(不包括熱沉)，在每一個(gè)封裝基座的背面點(diǎn)膠，把熱沉放置在每一個(gè)封裝基座中，固化膠。本發(fā)明揭示的新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座 (包括熱沉)，也可以應(yīng)用于其他半導(dǎo)體芯片或器件的封裝基座。

第二、環(huán)氧樹脂等透鏡處理技術(shù)

詮興開發(fā)科技股份有限公司的01144154.2號文獻(xiàn)涉及具有微小透鏡的表面黏著型發(fā)光二極管，包含：支架或基板：導(dǎo)電電極建構(gòu)于其上；發(fā)光晶片：通以直流電流流經(jīng)其正負(fù)電極后可發(fā)出特定波長的光線；導(dǎo)電線或?qū)щ姴牧希河脕磉B接發(fā)光晶片與支架或基板；封裝樹脂：用以保護(hù)發(fā)光晶片及導(dǎo)電線或?qū)щ姴牧系?；透過導(dǎo)電物質(zhì)或黏著劑，將發(fā)光晶片固定在支架或基板上，再經(jīng)過焊線作業(yè)后，將發(fā)光晶片的正負(fù)電極和支架或基板上的導(dǎo)電電極連接，將用模鑄法(Molding)的方式封裝樹脂、發(fā)光晶片和導(dǎo)電線包覆成SMD LED，其特征在于：發(fā)光二極管在封裝樹脂表面具有復(fù)數(shù)個(gè)微小透鏡結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)可以提高發(fā)光亮度，使光指向性更集中。南京漢德森半導(dǎo)體照明有限公司的200510123050.X號文獻(xiàn)涉及涉及采用1W以上大功率、高亮度的發(fā)光二極管(LED) 作為白光光源時(shí)所使用的出光透鏡。通過合理的加工處理，使得透鏡的出光面表面粗糙化并產(chǎn)生微觀柔焦效應(yīng)，減少了內(nèi)反射，有效消除了LED白光聚焦光束光斑周圍存在的其它顏色的光暈。該技術(shù)方案對于透鏡材料的電光特性不構(gòu)成損傷，透鏡的透射率所受到的影響微乎其微。本發(fā)明可以有效提高大功率LED白光光源的發(fā)光質(zhì)量，對于采用熒光粉配置的LED白光光源有著很好的應(yīng)用前景。

第三、低成本緊湊型制造技術(shù)

克立公司的200480030943.3號文獻(xiàn)涉及采用電表面安裝的發(fā)光晶片封裝。本發(fā)明揭示一種發(fā)光晶片封裝。所述晶片封裝包含襯底、反射板和透鏡。所述襯底可由導(dǎo)熱但電絕緣的材料制成，或者由既導(dǎo)熱又導(dǎo)電的材料制成。在其中所述襯底由導(dǎo)電材料制成的實(shí)施例中，所述襯底進(jìn)一步包含形成在所述導(dǎo)電材料上的電絕緣、導(dǎo)熱的材料。所述襯底具有用以連接到安裝墊上的發(fā)光二極管(LED)的跡線。所述反射板耦合到所述襯底且大體上圍繞所述安裝墊。所述反射板包含一反射表面，用以將來自所述LED的光沿所要方向引導(dǎo)。安捷倫科技有限公司的200510127642.9號文獻(xiàn)涉及具有增強(qiáng)熱耗散的小型發(fā)光器件封裝和制造該封裝的方法。該發(fā)明公開了一種發(fā)光器件封裝和用于制造此封裝的方法，利用了具有第一表面的第一引線框和具有第二表面的第二引線框，其相對定位為使得第二表面在比第一表面更高的層面處。發(fā)光器件封裝包括例如發(fā)光二極管管芯的光源，其安裝在第一引線框的第一表面上并電連接到第二引線框的第二表面。

第四、電路板上散熱處理技術(shù)

詮興開發(fā)科技股份有限公司的00133311.9號文獻(xiàn)涉及大功率發(fā)光二極管的封裝方法。他的特征是在電路板基材的預(yù)設(shè)位置放置發(fā)光二極管晶粒位置，做鉆孔貫穿基板，并做貫孔電鍍，再將電路板過焊錫爐，使有貫孔位置的孔洞填滿焊錫而形成焊錫點(diǎn)，后再用模具將焊錫點(diǎn)沖壓成凹槽反射座，再將晶粒放置于凹槽反射座中，焊電極線和用封膠樹脂封裝成型，能形成具有反射座的表面粘著發(fā)光二極管。安捷倫科技有限公司的200510115071.7號文獻(xiàn)涉及安裝具有增強(qiáng)熱耗散的LED。通過使用安裝到LCD面板支撐結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有PCB封裝從而排除了對金屬核 PCB的需求。使用具有熱耗散墊的反向安裝LED優(yōu)化金屬層的熱傳輸，該金屬層放置方式為與LCD支撐結(jié)構(gòu)相接觸，用于提高LED顯示器的熱耗散。三星的200410071337.8號文獻(xiàn)涉及高功率LED封裝，其中由高反射率的金屬制成的基本上為平面的第一和第二引線框彼此預(yù)定的間隙。一個(gè)LED芯片被固定在至少一個(gè)引線框上面，使接線端分別和引線框電氣連接。樹脂制成的封裝體將LED芯片密封在其中，同時(shí)牢靠地將引線框固定在其底部，密封材料填充到第一和第二引線框之間的間隙里面。該LED封裝的結(jié)構(gòu)可以有效地提高熱輻射效率，從而減小其尺寸和厚度。

第五、靜電處理技術(shù)

光磊科技股份有限公司的200410003284.6號文獻(xiàn)涉及可防止靜電破壞的發(fā)光二極管元件。該發(fā)明與一種發(fā)光二極管元件有關(guān)，尤指一種可防止靜電破壞的發(fā)光二極管元件。主要是在一個(gè)表面絕緣基板上設(shè)有至少一個(gè)第一供電電路及至少一個(gè)第二供電電路，第一供電電路可電性連接于發(fā)光二極管的LED第一電極及抗靜電保護(hù)元件的ESD第二電極，而第二供電電路則可電性連接于發(fā)光二極管的LED第二電極及抗靜電保護(hù)元件的ESD第一電極，致使發(fā)光二極管及抗靜電保護(hù)元件形成反接的并聯(lián)電路。由于第一供電電路及第二供電電路的作用面積大于ESD第一電極及ESD第二電極的特性，因此，不但可簡化制作程序及提高生產(chǎn)效率，又可增加發(fā)光二極管元件的使用壽命。北京工業(yè)大學(xué)的200410062248.7號文獻(xiàn)涉及高抗靜電高效發(fā)光二極管和制作方法，它包含利用一個(gè)導(dǎo)電型半導(dǎo)體材料制作的基板及發(fā)光二極管芯片，基板上制作有集成的雙向穩(wěn)壓二極管，發(fā)光二極管芯片主要包含在透明藍(lán)寶石襯底及在此襯底上的GaN結(jié)構(gòu)層和整面P電極、N電極，將發(fā)光二極管芯片倒裝在該基板上。發(fā)光二極管有源區(qū)發(fā)出的光從背面藍(lán)寶石端取出，增加了取光面積，可以提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率1.5-2倍。由于基板上集成了抗靜電保護(hù)雙向穩(wěn)壓二極管，有效增強(qiáng)了發(fā)光二極管抗靜電放電能力，且發(fā)光二極管直接通過電極與特殊制作的基板接觸，增大了接觸面積，改善了藍(lán)寶石散熱不佳的特性，可實(shí)現(xiàn)大功率輸出、降低成本、提高器件可靠性等作用。

第六、芯片電流均勻擴(kuò)散技術(shù)

路美光電公司的03815816.7號文獻(xiàn)涉及大功率、高光通量發(fā)光二極管及其制作方法，包括：襯底、發(fā)光結(jié)構(gòu)，其沿著一垂直軸而被置于所述襯底之上。該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：第一覆蓋層和第二覆蓋層；第一電極，其與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一覆蓋層接觸，該第一電極有一條引線在第一方向上沿著一水平軸延伸，該水平軸垂直于所述垂直軸；第二電極，其與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的第二覆蓋層接觸，該第二電極有至少兩條引線在第二方向上沿著所述水平軸延伸，該第二方向與所述第一方向相反，所述第一電極的引線的一部分散置于所述第二電極的兩條引線的相應(yīng)部分之間并與其分隔開。廈門大學(xué)的200610092944.1號文獻(xiàn)涉及樹葉脈絡(luò)形大功率氮化鎵基發(fā)光二極管芯片的P、N電極，不僅能使芯片的電流較均勻地?cái)U(kuò)展，而且對散熱和減小光線的全反射也有一定幫助的樹葉脈絡(luò)形大功率GaN 基LED芯片的P、N電極。設(shè)有P電極和N電極，在GaN外延片的正面刻蝕出溝槽，將芯片分成至少2個(gè)小區(qū)域的集合，在P型GaN的表面生長一層透明導(dǎo)電層，在透明導(dǎo)電層上淀積P型電極，在溝槽內(nèi)淀積N型電極，N型電極沿芯片對角線分布成樹葉脈絡(luò)的形狀，P型電極環(huán)繞在芯片的邊緣，并有觸角伸出，可使大功率GaN基LED的電流在P、N電極之間更均勻地?cái)U(kuò)散，提高發(fā)光效率。

第七、特殊散熱技術(shù)

朱建欽的朱建欽200610061225.3號文獻(xiàn)涉及一種大功率半導(dǎo)體發(fā)光元件的封袋，包括至少一個(gè)以上內(nèi)外電連接的LED芯片、LED基板。至少一個(gè)以上的LED 芯片每一個(gè)都在基板正面固定，基板底面接合半導(dǎo)體電子制冷片，半導(dǎo)體電子制冷片具有一冷端、一熱端，冷端與基板底面接合，熱端與散熱底座形成熱接觸。該發(fā)明與傳統(tǒng)散熱片、熱管等被動散熱方式封裝技術(shù)相比，在通電時(shí)就具有制冷功能，主動迅速地吸收大功率半導(dǎo)體發(fā)光芯片工作時(shí)產(chǎn)生的大量熱量，為LED發(fā)光芯片和散熱載片之間提供了一個(gè)高效的散熱通道。呂大明的200510021051.3號文獻(xiàn)涉及LED器件及其封裝方法，將LED管芯用充有封裝液的透光殼體密封起來，并將其導(dǎo)電端用電極從殼體內(nèi)引出，所述封裝液是具有大電阻率的透光液體，其電阻率遠(yuǎn)大于LED管芯的導(dǎo)通電阻率。該發(fā)明是采用上述封裝方法的LED器件。其優(yōu)點(diǎn)在于：突破性地采用液態(tài)封裝技術(shù)來取代常規(guī)的全固體結(jié)構(gòu)，使得LED管芯的散熱可通過電極傳導(dǎo)和封裝液對流的雙重方式來進(jìn)行，為大功率LED封裝開辟出了一條嶄新的發(fā)展道路。

專利部署態(tài)勢

我國國家知識產(chǎn)權(quán)局大功率LED封裝專利部署有以下特點(diǎn)：1、大部分重要封裝專利來自我國臺灣廠商和國外大公司；2、國內(nèi)專利為院校和企業(yè)共同擁有但為數(shù)不多；3、有少數(shù)專利掌握在個(gè)人手里。從知識產(chǎn)權(quán)局專利分布上看：國際上LED照明技術(shù)核心專利都被外國幾家大公司控制，這些公司利用各自的核心專利，采取橫向縱向擴(kuò)展方式，在全世界范圍內(nèi)布置專利網(wǎng)。這些關(guān)鍵專利都掌握在日本、美國、德國少數(shù)國家的少數(shù)大公司手中，如日本的日亞、豐電合成、東芝、索尼，美國的克立、LUMILEDS，德國的歐斯蘭等公司，基本覆蓋了從襯底制備、外延材料、器件設(shè)計(jì)、管芯工藝到封裝和應(yīng)用設(shè)計(jì)的各個(gè)方面。我國申請人未掌握上游核心技術(shù)。發(fā)明專利少，大多是外圍技術(shù)，然而數(shù)量不多的外圍專利和下游水平底無法形成專利網(wǎng)布局。另外，一些申請人未向境外申請專利。這種境內(nèi)無法形成專利網(wǎng)布局、境外沒有專利保護(hù)的現(xiàn)狀，使得我國半導(dǎo)體照明領(lǐng)域的知識產(chǎn)權(quán)成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的軟肋。封裝領(lǐng)域，在國際主流封裝技術(shù)領(lǐng)域中基座和熒光粉材料方面我國與國外差距巨大，但我國的專利申請有自身的優(yōu)勢分支，如二次光學(xué)設(shè)計(jì)和燈具散熱等。 根據(jù)我國國家知識產(chǎn)權(quán)局專利布局及LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展可以看出LED封裝產(chǎn)品在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展上起著舉足輕重的作用。只有這樣才能使整個(gè)LED產(chǎn)業(yè)鏈獲得更大的發(fā)展。在知識產(chǎn)權(quán)方面，鼓勵(lì)多種技術(shù)路線并存，鼓勵(lì)發(fā)明創(chuàng)新，以外圍專利包圍核心專利。上中游產(chǎn)業(yè)以開拓新的白光技術(shù)路線為主，發(fā)展市場前景好、可操作性強(qiáng)的技術(shù)，并以發(fā)明專利為主進(jìn)行專利申報(bào)；同時(shí)不放松對上中游產(chǎn)業(yè)主流技術(shù)路線的外圍專利技術(shù)開發(fā)，形成以外圍專利包圍核心專利的態(tài)勢，在市場競爭中占據(jù)有利地位。在下游封裝及應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域，充分發(fā)揮我國實(shí)用新型專利多的優(yōu)勢，提倡申報(bào)應(yīng)用產(chǎn)品的外觀設(shè)計(jì)專利。 總之，集中精力在一些技術(shù)關(guān)鍵點(diǎn)實(shí)現(xiàn)突破，形成自主知識產(chǎn)權(quán)。尤其是下游的大功率LED的封裝技術(shù)，雖然與國外技術(shù)差距大，但可選準(zhǔn)選好技術(shù)突破點(diǎn)，集中國內(nèi)優(yōu)勢力量進(jìn)行攻關(guān)，同時(shí)，要特別重視知識產(chǎn)權(quán)的保護(hù)。我們必須盡可能在一些技術(shù)關(guān)鍵點(diǎn)上作出突破并擁有專利，從而有效保護(hù)國內(nèi)市場不為國外企業(yè)通過專利來壟斷，也為企業(yè)走出去開拓市場奠定基礎(chǔ)。在政策環(huán)境的優(yōu)勢、市場的優(yōu)勢、產(chǎn)業(yè)自身的優(yōu)勢、成本優(yōu)勢下我國的半導(dǎo)體照明行業(yè)定會走在半導(dǎo)體照明革命的前列。

參考文獻(xiàn)
[1] 2006 中國（深圳）國際半導(dǎo)體照明論壇報(bào)告文集
[2] 馬小軍《美國固態(tài)照明技術(shù)進(jìn)展概況、趨勢與展望》

作者簡介：
陶玖祥：現(xiàn)任職于真明麗集團(tuán)公司研發(fā)總部資深顧問，曾任鶴山銀雨燈飾有限公司標(biāo)準(zhǔn)部經(jīng)理，專利標(biāo)準(zhǔn)部高級經(jīng)理；曾獲鶴山市杰出外來工榮譽(yù)稱號和江門市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)勵(lì)二等獎(jiǎng)、三等獎(jiǎng)；中國標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會會員，中國知識產(chǎn)權(quán)學(xué)會高級會員，中國照明學(xué)會高級會員；多次參與燈具國家標(biāo)準(zhǔn)和美國UL標(biāo)準(zhǔn)制訂工作。