今天，白光LED仍舊存在著發(fā)光均勻性不佳、封閉材料的壽命不長(zhǎng)等問題，無法發(fā)揮白光LED被期待的應(yīng)用優(yōu)點(diǎn)。但就需求層面來看，不僅一般的照明用途，隨著手機(jī)、LCD TV、汽車、醫(yī)療等的廣泛應(yīng)用，使得最合適開發(fā)穩(wěn)定白光LED的技術(shù)研究成果就廣泛的被關(guān)注。

改善白光LED的發(fā)光效率，目前有兩大方向，一是提高LED芯片的面積，藉此增加發(fā)光量。二是把幾個(gè)小型芯片一起封裝在同一個(gè)模塊下。

　　藉由提高芯片面積來增加發(fā)光量
　
　　雖然，將LED芯片的面積予以大型化，藉此能夠獲得高得多的亮度，但因過大的面積，在應(yīng)用過程和結(jié)果上也會(huì)出現(xiàn)適得其反的現(xiàn)象。所以，針對(duì)這樣的問題，部分LED業(yè)者就根據(jù)電極構(gòu)造的改進(jìn)和覆晶的構(gòu)造，在芯片表面進(jìn)行改良，來達(dá)到50lm/W的發(fā)光效率。例如在白光LED覆晶封裝的部分，由于發(fā)光層很接近封裝的附近，發(fā)光層的光向外部散出時(shí)，電極不會(huì)被遮蔽，但缺點(diǎn)就是所產(chǎn)生的熱不容易消散。

　　并非進(jìn)行芯片表面改善后，再加上增加芯片面積就絕對(duì)可以迅速提升亮度，因?yàn)楫?dāng)光從芯片內(nèi)部向外擴(kuò)散射時(shí)，芯片中這些改善的部分無法進(jìn)行反射，所以在取光上會(huì)受到一點(diǎn)限制，根據(jù)計(jì)算，最佳發(fā)揮光效率的LED芯片尺寸是在7mm2左右。

　　利用封裝數(shù)個(gè)小面積LED芯片快速提高發(fā)光效率

　　和大面積LED芯片相比，利用小功率LED芯片封裝成同一個(gè)模塊，這樣是能夠較快達(dá)到高亮度的要求，例如，Citizen就將8個(gè)小型LED封裝在一起，讓模塊的發(fā)光效率達(dá)到了60lm/W，堪稱是業(yè)界的首例。

　　但這樣的做法也引發(fā)的一些疑慮，因?yàn)槭菍⒍囝wLED封裝在同一個(gè)模塊上，必須置入一些絕緣材料，以免造成LED芯片間的短路情況發(fā)生，如此一來就會(huì)增加了不少的成本。

　　對(duì)此Citizen的解釋是：“對(duì)于成本的影響幅度是相當(dāng)小的，因?yàn)橄噍^于整體的成本比例，這些絕緣材料僅不到百分之一，并可以利用現(xiàn)有的材料來做絕緣應(yīng)用，這些絕緣材料不需要重新開發(fā)，也不需要增加新的設(shè)備來因應(yīng)。”

　　雖然Citizen的解釋理論上是合理的，但是，對(duì)于無經(jīng)驗(yàn)的業(yè)者來說，這就是一項(xiàng)挑戰(zhàn)，因?yàn)闊o論在良率、研發(fā)、生產(chǎn)工程上都是需要予以克服的。還有其它方式可達(dá)到提高發(fā)光效率的目標(biāo)，許多業(yè)者發(fā)現(xiàn)，在LED藍(lán)寶石基板上制作出凹凸不平坦的結(jié)構(gòu)，這樣或許可以提高光輸出量，所以，有逐漸朝向在芯片表面建立Texture或Photonics結(jié)晶的架構(gòu)。例如德國(guó)的OSRAM就是以這樣的架構(gòu)開發(fā)出“Thin GaN”高亮度LED。原理是在InGaN層上形成金屬膜，之后再剝離藍(lán)寶石，這樣，金屬膜就會(huì)產(chǎn)生映像的效果而獲得更多的光線取出，根據(jù)OSRAM的資料顯示，這樣的結(jié)構(gòu)可以獲得75％的光取出效率。