4. 芯片受腐蝕

　　前面的死燈案例都是呈開路現(xiàn)象，下面為大家舉個(gè)短路死燈現(xiàn)象的案例。

　　4.1　案例

　　失效樣品為仿流明燈珠，燈珠老化過(guò)程中發(fā)現(xiàn)這些燈珠出現(xiàn)死燈、暗光等不良情況。對(duì)不良品進(jìn)行溶膠后，檢查發(fā)現(xiàn)芯片電極較多區(qū)域出現(xiàn)受腐蝕和電極剝落的情況，如圖21和圖22所示。

　　利用X射線能譜儀(EDS)對(duì)芯片受腐蝕區(qū)域進(jìn)行元素分析，檢測(cè)發(fā)現(xiàn)芯片電極受腐蝕區(qū)域含有較多的Na、Cl和K元素，如圖23和圖24所示。

　　根據(jù)元素的化學(xué)組成，推測(cè)芯片可能受到NaCl和KCl污染。當(dāng)熱與水汽共存時(shí)會(huì)腐蝕芯片電極，造成芯片電極金屬腐蝕及電極線路粘接力下降，甚至導(dǎo)致局部區(qū)域脫落。而電極溶解物的遷移會(huì)使芯片P、N電極短路導(dǎo)致芯片死燈。

　　總結(jié)

　　造成LED死燈的原因有很多，從封裝、應(yīng)用、到使用的各個(gè)環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)死燈現(xiàn)象，以上提到的案例只是拋磚引玉。如何減少和杜絕死燈，提高產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性，是每個(gè)LED企業(yè)需要面對(duì)的關(guān)鍵問(wèn)題。通過(guò)對(duì)LED死燈原因進(jìn)行分析，是我們減少和杜絕LED死燈的重要途徑之一，而對(duì)LED產(chǎn)品進(jìn)行失效分析，除了強(qiáng)大的設(shè)備硬件外，還需要具備芯片、封裝、應(yīng)用各個(gè)環(huán)節(jié)的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)作支撐，才能發(fā)揮設(shè)備的能力，為客戶排憂解難。

　　香港科技大學(xué)佛山LED中心擁有豐富的測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，需要更多信息請(qǐng)關(guān)注以下公眾號(hào)。