上海芯元基開發(fā)半導體新器件獲里程碑式突破
摘要： 上海芯元基采用先進的晶元級封裝技術，結合具有自主知識產(chǎn)權的復合圖形襯底(DPSS)以及化學剝離和晶元級芯片轉移技術，開發(fā)出了一種鍵合在玻璃基板上的薄膜倒裝結構器件(TFFCOG)。
上海芯元基采用先進的晶元級封裝技術，結合具有自主知識產(chǎn)權的復合圖形襯底(DPSS)以及化學剝離和晶元級芯片轉移技術，開發(fā)出了一種鍵合在玻璃基板上的薄膜倒裝結構器件(TFFCOG)。該器件的結構如附圖所示自上而下為：薄膜倒裝芯片、玻璃襯底，器件的四周除出光面之外都具有反射腔結構，形成帶反射腔的封裝器件。
器件具有以下優(yōu)勢：1、采用反射鏡的腔體結構，使整個器件的光由單一方向出射，極大的提高了光的出射密度;2、采用容易加工出光結構的透明玻璃基板作為出光通道，采用金屬電極做為散熱通道，提高了器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性;3、采用晶元級封裝技術，器件的最終尺寸與芯片的尺寸相當;4、不需要進行常規(guī)封裝，可降低成本三分之一以上。
上海芯元基的化學剝離襯底技術和晶元級芯片轉移技術是制造Micro LED Display的核心技術，不僅可用運于半導體照明產(chǎn)業(yè)，同樣可用運于半導體功率電子器件，對發(fā)展我國第三代半導體材料技術意義重大，目前已經(jīng)完成了相關專利的全球布局及商標注冊，預計2017年初可實現(xiàn)量產(chǎn)。
附圖：
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