Micro LED顯示技術(shù)前瞻
摘要： Micro LED技術(shù)是指在一個(gè)芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED顯示屏，每一個(gè)像素可定址、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮，可以看成是戶(hù)外LED顯示屏的縮小版，將像素點(diǎn)距離從毫米級(jí)降低至微米級(jí)，相比于現(xiàn)有的微顯示技術(shù)如DLP、LCoS、微機(jī)電系統(tǒng)掃描等。
Texas Tech University的江教授團(tuán)隊(duì)在2011年發(fā)表了至今最高密度主動(dòng)定址的Micro LED陣列芯片，外延生長(zhǎng)綠光LED后通過(guò)刻蝕形成微陣列，然后通過(guò)倒裝封裝與驅(qū)動(dòng)IC貼合，像素間距15微米，在9.6mm*7.2mm面積上實(shí)現(xiàn)了VGA解析度;
圖：Micro LED原理和結(jié)構(gòu)(來(lái)源：Applied Physics)
2012年索尼曾在CES 上展示了55寸Crystal LED Display電視，厚度僅0.63mm，由600萬(wàn)顆微小LED組成，通過(guò)將晶圓上的LED微晶粒封裝成150um的像素單體，利用真空吸嘴將單體轉(zhuǎn)移至TFT驅(qū)動(dòng)基板上;
圖：Sony Crystal LED電視原型(來(lái)源：公開(kāi)資料)
2013年臺(tái)灣工研院推出了主動(dòng)式LED微晶粒晶片技術(shù)，在0.37寸的晶片上實(shí)現(xiàn)了427×240的解析度，現(xiàn)階段工研院電光所的微LED陣列投影模組光效可以達(dá)到40 lm/W;
未來(lái) Micro LED的潛在應(yīng)用領(lǐng)域主要為微顯示器件領(lǐng)域，如微投影儀、頭戴式顯示器、抬頭顯示器、可穿戴設(shè)備、Google Glass等，相比于現(xiàn)有的技術(shù)如DLP、LCoS、微機(jī)電系統(tǒng)掃描等，由于Micro LED自發(fā)光，光學(xué)系統(tǒng)簡(jiǎn)單，可以減少整體系統(tǒng)的體積、重量、成本，同時(shí)兼顧低功耗、快速反應(yīng)等特性;
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