Texas Tech University的江教授團隊在2011年發(fā)表了至今最高密度主動定址的Micro LED陣列芯片，外延生長綠光LED后通過刻蝕形成微陣列，然后通過倒裝封裝與驅(qū)動IC貼合，像素間距15微米，在9.6mm*7.2mm面積上實現(xiàn)了VGA解析度;

圖：Micro LED原理和結(jié)構(gòu)(來源：Applied Physics)

　　2012年索尼曾在CES 上展示了55寸Crystal LED Display電視，厚度僅0.63mm，由600萬顆微小LED組成，通過將晶圓上的LED微晶粒封裝成150um的像素單體，利用真空吸嘴將單體轉(zhuǎn)移至TFT驅(qū)動基板上;

圖：Sony Crystal LED電視原型(來源：公開資料)

　　2013年臺灣工研院推出了主動式LED微晶粒晶片技術(shù)，在0.37寸的晶片上實現(xiàn)了427×240的解析度，現(xiàn)階段工研院電光所的微LED陣列投影模組光效可以達到40 lm/W;

　　未來 Micro LED的潛在應(yīng)用領(lǐng)域主要為微顯示器件領(lǐng)域，如微投影儀、頭戴式顯示器、抬頭顯示器、可穿戴設(shè)備、Google Glass等，相比于現(xiàn)有的技術(shù)如DLP、LCoS、微機電系統(tǒng)掃描等，由于Micro LED自發(fā)光，光學(xué)系統(tǒng)簡單，可以減少整體系統(tǒng)的體積、重量、成本，同時兼顧低功耗、快速反應(yīng)等特性;