據(jù)報道，美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校（University of California, Santa Barbara，UCSB）研究團(tuán)隊與諾貝爾獎得主中村修二先生共同開發(fā)了一種制造無熒光粉白色半極化LED的新方法，并且可望作為背光源使用。研究結(jié)果已發(fā)表在《光學(xué)快報》（Optics Express）期刊上。

通常情況下，白色LED由藍(lán)色LED與黃色熒光粉結(jié)合制成，而由熒光粉轉(zhuǎn)換而來的白色LED往往會出現(xiàn)能量損耗及熱穩(wěn)定性下降等問題，但無熒光粉的LED難以實現(xiàn)。不過，UCSB團(tuán)隊提出了一個較為容易的制造方法，可直接在氮化鎵襯底上生長出高效的白色半極化LED。

據(jù)悉，研究團(tuán)隊在塊狀氮化鎵襯底上采用藍(lán)色量子阱（頂部）和黃色量子阱（底部）生長出無熒光粉的白色I(xiàn)nGaN（銦鎵氮）LED，這些LED發(fā)射波長峰值為427mn的藍(lán)光及560nm的黃光，輸出功能為0.9mW。

圖片來源: (Li et al., 2020)

研究者認(rèn)為，無熒光粉的高效LED作為背光源的前景可期，有望實現(xiàn)用于可見光通訊LiFi中的Micro LED。

據(jù)了解，業(yè)內(nèi)關(guān)于無熒光粉LED照明的研究一直都在開展中。

2016年，韓國KAIST也提出了一個制造方法：以半導(dǎo)體芯片取代熒光粉。頂部為同心圓模樣的金字塔結(jié)構(gòu)，設(shè)計成復(fù)合結(jié)構(gòu)體。制造出的3D結(jié)構(gòu)體各個面以不同條件形成量子阱，各發(fā)出不同的顏色。KAIST表示，通過調(diào)整制造3D結(jié)構(gòu)體的時間和條件，以改變各結(jié)晶面面積的方法，從而制造出多元混色的LED。