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三安光電擬160億元在長沙投資建設第三代半導體產(chǎn)業(yè)園

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2020-06-17 作者: 來源:經(jīng)濟觀察網(wǎng) 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0
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摘要: 6月16日晚間,三安光電發(fā)布公告稱,公司擬160億元在長沙投資半導體產(chǎn)業(yè)化項目。

6月16日晚間,三安光電發(fā)布公告稱,公司擬160億元在長沙投資半導體產(chǎn)業(yè)化項目。

公告顯示,公司決定在長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司,投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目,包括長晶-襯底制作-外延生長-芯片制備-封裝產(chǎn)業(yè)鏈,投資總額160億元。

最新進度顯示,6月15日,三安光電已與長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽署《項目投資建設合同》。根據(jù)計劃,三安光電將在用地各項手續(xù)和相關條件齊備后24個月內(nèi)完成一期項目建設并實現(xiàn)投產(chǎn),48個月內(nèi)完成二期項目建設和固定資產(chǎn)投資并實現(xiàn)投產(chǎn),72個月內(nèi)實現(xiàn)達產(chǎn)。

對于具體開發(fā)建設的產(chǎn)品,三安光電方面表示,主要研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiCMOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET等。對于此次投資,三安光電方面認為:“第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目有著廣闊的市場需求,現(xiàn)處于發(fā)展階段。本次投資項目符合國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃,符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略,有利于提升公司行業(yè)地位及核心競爭力?!?/p>

事實上,近年來三安光電在半導體領域的“大手筆”投資一直備受業(yè)界關注。

2017年12月,總投資高達333億元的三安高端半導體系列項目在泉州市“泉州芯谷”南安園區(qū)啟動,該工程涵蓋高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化等七大項目。計劃五年內(nèi)實現(xiàn)投產(chǎn)、七年內(nèi)達產(chǎn),經(jīng)營期限不少于25年,將實現(xiàn)年銷售收入270億元、稅收30億元。經(jīng)濟觀察網(wǎng)記者獲得的最新消息顯示,目前,泉州三安項目購買的設備陸續(xù)到廠,已有部分設備安裝完成,進入調試階段,待調試完成后將逐步釋放產(chǎn)能。

與在半導體領域投資的高飛猛進相對應,是近年來三安光電在經(jīng)營業(yè)績上的承壓。受累于LED芯片市場價格戰(zhàn),特別是去年前三季度產(chǎn)品價格的大幅下滑,2019年,盡管三安光電在LED芯片領域銷售數(shù)量相比2018年同期保持增長,但業(yè)績卻出現(xiàn)大幅下滑。財務數(shù)據(jù)顯示,2019年三安光電實現(xiàn)營業(yè)收入74.60億元,同比下降10.81%;歸屬于母公司股東的凈利潤為12.98 億元,同比下降54.12%。


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