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百億項目簽約,第三代半導體項目落戶濟南

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2020-04-09 作者: 來源:全球半導體觀察 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0
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摘要: 4月8日,山東濟南槐蔭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)重點招商引資項目簽約儀式舉行。此次簽約項目總投資額達到127.38億元,包括中鴻新晶第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群等10個項目。

4月8日,山東濟南槐蔭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)重點招商引資項目簽約儀式舉行。此次簽約項目總投資額達到127.38億元,包括中鴻新晶第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群等10個項目。

據(jù)山東發(fā)布指出,中鴻新晶第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群項目總投資約111億元,總建設周期5年,分三期進行。

其中項目一期產(chǎn)業(yè)投資8億元,計劃3年內(nèi)完成第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群初步建設,完成深紫外LED生產(chǎn)線20條,6-8英寸碳化硅單晶生產(chǎn)、加工、碳化硅外延生產(chǎn)線各2條,氮化鎵中試線1條。一期完成后,將實現(xiàn)年產(chǎn)值20億元,利稅24.2億元。

項目二期投資51億元,完成第三代半導體產(chǎn)業(yè)基金的募集工作,并購瑞典ASCATRON(艾斯科強) 公司,打造全球領(lǐng)先的“國家級戰(zhàn)略新興半導體研究院”視一期進展及市場需求情況適時啟動,計劃2年內(nèi)完成6-8英寸碳化硅單晶擴產(chǎn)、6-8英寸氮化鎵外延、射頻器件、功率器件生產(chǎn)線各1條。二期完成后,將實現(xiàn)年產(chǎn)值120億元,利稅將超過20億元。

項目三期投資52億元,將ASCATRON公司后續(xù)芯片生產(chǎn)全部轉(zhuǎn)移至中國,項目建成后預期將帶動上下游產(chǎn)業(yè)近千億元產(chǎn)值。

該項目依托中科院半導體所、微電子所等源頭創(chuàng)新力量,中電化合物公司及航天國際有限公司等產(chǎn)業(yè)龍頭、中南資本、中科院控股等金融資本,由中鴻新晶公司提供先進技術(shù)與團隊,整合韓國浦項半導體、LG半導體,瑞典Epiluvac(艾彼盧米肯)等國際知名半導體企業(yè)優(yōu)勢資源,采用產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合模式,打造覆蓋以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體研發(fā)、設計、制造、封裝、測試等全產(chǎn)業(yè)鏈,涵蓋單晶生長、外延、器件、模塊等全產(chǎn)品線。

資料顯示,中鴻新晶科技有限公司成立于2017年,是為第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈提供原材料和裝備解決方案的高科技企業(yè)、專業(yè)從事第三代半導體高純碳化硅微粉生產(chǎn)、碳化硅單晶爐的研發(fā)制造,碳化硅和氮化鎵芯片設計和制造的企業(yè)。中鴻新晶的愿景是要做第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈的領(lǐng)跑者,承擔起中國在電子信息產(chǎn)業(yè)換道超車、重塑世界半導體產(chǎn)業(yè)格局的時代使命。


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