2019年4月23日，華為成立投資公司——哈勃科技投資有限公司(以下簡稱哈勃投資)。自涉足創(chuàng)新投資以來，華為的投資風向便備受市場關注。

近日，工商資料顯示，哈勃投資已經(jīng)投資兩家半導體相關公司，一個是從事第三代半導體材料碳化硅相關的山東天岳先進材料科技有限公司，另外一個則是從事電源管理芯片設計的杰華特微電子(杭州)有限公司。

哈勃投資此次入股的兩家公司均在半導體行業(yè)上下游，可以一定程度上看到華為對外投資方向。

資料顯示，山東天岳2010年成立，核心產(chǎn)品是碳化硅材料，這是繼硅、砷化鎵半導體之后最新發(fā)展起來的第三代半導體材料。

碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機”。

我國及全球5G網(wǎng)絡正在大規(guī)模建設中。大數(shù)據(jù)傳輸、云計算、AI技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)，包括下一步的能源傳輸，對網(wǎng)絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大，而硅材料的負載量已無可突破的空間。碳化硅對于5G建設意義重大，已成為行業(yè)內(nèi)公認的事實。

據(jù)其官網(wǎng)顯示，山東天岳碳化硅產(chǎn)品主要有4H-導電型碳化硅襯底材料，其規(guī)格有2英寸、3英寸、4英寸以及6英寸，今后可以廣泛應用于大功率高頻電子器件、半導體發(fā)光二極管(LED)，以及諸如5G通訊、物流網(wǎng)等微波通訊領域。此外，其獨立自主開發(fā)的6英寸N型碳化硅襯底，厚度為350±25微米，每平方厘米微管密度小于1個，目前產(chǎn)品正處在工藝固化階段。

資料顯示，另一家企業(yè)杰華特成立于2013年3月，注冊資本5500萬元，總部位于杭州，在美國、韓國，中國張家港、深圳、廈門等地設有分公司。

杰華特主攻功率管理芯片研究，為電力、通信、電動汽車等行業(yè)用戶提供系統(tǒng)的解決方案與產(chǎn)品服務，目前擁有電池管理、LED照明、DC/DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品。杰華特創(chuàng)始人周遜偉是一名海歸創(chuàng)業(yè)者，曾獲浙江省“千人計劃”榮譽。杰華特在業(yè)界被稱為“小矽力杰”，團隊核心人員來自美國德州儀器和美國芯源公司等。

事實上，哈勃科技兩次出手投資均與半導體產(chǎn)業(yè)相關。這也讓人聯(lián)想到華為在芯片領域迅速布局，在美國打壓下，華為正圍繞芯片制造打造完整的供應能力。

而對于兩家企業(yè)來說，華為的投資無疑是對其最好的宣傳和技術(shù)方向背書。