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“高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)” 重大項目取得突破

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2017-12-20 作者: 來源:科技部官網(wǎng) 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0
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摘要: 半導(dǎo)體照明作為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),是我國發(fā)展低碳經(jīng)濟、調(diào)整產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)及綠色發(fā)展的重要途徑之一。“十二五”期間,在863計劃新材料技術(shù)領(lǐng)域,支持了“高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)”重大項目。近日,863計劃新材料技術(shù)領(lǐng)域辦公室在北京組織專家對該項目進行了驗收。

  半導(dǎo)體照明作為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),是我國發(fā)展低碳經(jīng)濟、調(diào)整產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)及綠色發(fā)展的重要途徑之一?!笆濉逼陂g,在863計劃新材料技術(shù)領(lǐng)域,支持了“高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)”重大項目。近日,863計劃新材料技術(shù)領(lǐng)域辦公室在北京組織專家對該項目進行了驗收。

  “高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)(一期)、(二期)”項目開展了Si和藍寶石襯底上高光效低成本的LED外延和產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)、芯片及封裝應(yīng)用技術(shù)等方面的研究,研制出高質(zhì)量SiC和GaN襯底、深紫外LED器件、高效白光OLED器件和燈具、高質(zhì)量GaN外延材料、高功率LED薄膜倒裝器件等成果,獲得了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的高品質(zhì)白光照明產(chǎn)品,實現(xiàn)了高純金屬有機化合物(MO)源、熒光粉、硅膠等關(guān)鍵材料的國產(chǎn)化,以及LED在植物生長、醫(yī)療等領(lǐng)域的應(yīng)用。

  “十三五”期間,為加快推動材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,科技部制定了《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃》,在新材料技術(shù)發(fā)展方面,重點發(fā)展戰(zhàn)略性電子材料、先進結(jié)構(gòu)與復(fù)合材料、新型功能與智能材料,滿足戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求。在戰(zhàn)略性電子材料發(fā)展方向中對第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明技術(shù)進行了系統(tǒng)布局,重點研究內(nèi)容包括:大尺寸、高質(zhì)量第三代半導(dǎo)體襯底和薄膜材料外延生長調(diào)控規(guī)律,高效全光譜光源核心材料、器件和燈具全技術(shù)鏈綠色制造技術(shù),超越照明和可見光通訊關(guān)鍵技術(shù)、系統(tǒng)集成和應(yīng)用示范,高性能射頻器件、電力電子器件及其模塊設(shè)計、工藝技術(shù)及應(yīng)用示范,核心裝備制造技術(shù)等。


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