隨著經(jīng)濟全球化不斷深入，標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)成為世界各國推動技術(shù)進步的重要手段，成為諸多高新產(chǎn)業(yè)競爭與發(fā)展的制高點。中國制造要升級到中國創(chuàng)造，并走向國際市場，中國標(biāo)準(zhǔn)須先行。經(jīng)過近十年潛心研發(fā)培育，LED產(chǎn)業(yè)終于迎來中國標(biāo)準(zhǔn)。

　　今日傳來喜訊，2015年度國家科學(xué)技術(shù)獎1月8日在人民大會堂舉辦頒獎典禮，備受矚目的技術(shù)發(fā)明一等獎花落“硅襯底高光效GaN基藍(lán)色發(fā)光二極管” 項目，可謂行業(yè)之大喜事?！爸袊呀?jīng)超越美國成為全世界最大的LED應(yīng)用市場，硅襯底LED技術(shù)獲得中國政府大力推廣，中國市場的變化最終也會牽引全球產(chǎn)業(yè)變遷。”有LED行業(yè)人士談到。

　　攬獲國家大獎構(gòu)建中國自主LED產(chǎn)業(yè)

　　硅襯底項目的主要參與人員孫錢表示，“從國家戰(zhàn)略層面講，硅襯底技術(shù)是我國擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)路線，可以構(gòu)建中國完全自主的LED產(chǎn)業(yè)”。

　　據(jù)介紹，國家技術(shù)發(fā)明一等獎判定標(biāo)準(zhǔn)為：屬國內(nèi)外首創(chuàng)的重大技術(shù)發(fā)明或創(chuàng)新，技術(shù)經(jīng)濟指標(biāo)達到了同類技術(shù)領(lǐng)先水平，且推動相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)進步且已產(chǎn)生顯著的經(jīng)濟或者社會效益。

　　自LED發(fā)明以來，在照明應(yīng)用領(lǐng)域存在三條LED照明技術(shù)路線，分別是藍(lán)寶石襯底(AI2O3)、碳化硅(Sic)襯底和硅襯底(Sic)LED技術(shù)路線。其中，前兩條技術(shù)路線分別是以日本和美國為主發(fā)展起來的，主要貢獻者分別獲得日美兩國最高科技獎，藍(lán)寶石襯底技術(shù)路線的一位主要發(fā)明人中村修二(Suji Nakamura)還獲得了2014年度諾貝爾物理學(xué)獎。

　　而硅襯底LED技術(shù)是我國自主創(chuàng)新發(fā)展起來的，它彌補了前兩大技術(shù)路線之不足，具有自主創(chuàng)新專利。此次評獎，硅襯底LED技術(shù)項目在50個申報國家技術(shù)發(fā)明獎的項目中脫穎而出，成為唯一一個一等獎。

　　“硅襯底技術(shù)確實應(yīng)該獲得這個大獎，他打破了日美國家在這個領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，這是國家大力支持科技發(fā)明的體現(xiàn)?！币晃唤咏鼑鴦?wù)院高層的產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟學(xué)家如此評價。

　　硅基襯底具有良好的穩(wěn)定性和導(dǎo)熱性，且具有原材料成本低廉，晶圓尺寸大等優(yōu)點。當(dāng)前，集成電路6吋和8吋生產(chǎn)線產(chǎn)能很多，如果硅基襯底技術(shù)成熟，LED產(chǎn)品價格降低一半是可期的。

　　硅襯底項目的重大創(chuàng)新意義在于：硅基氮化鎵技術(shù)是中國自主研發(fā)、擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)路線，將構(gòu)建中國LED產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，凸顯產(chǎn)業(yè)后發(fā)優(yōu)勢;這一技術(shù)也獲得國家的大力支持與推廣，對我國的LED產(chǎn)業(yè)格局有望產(chǎn)生革命性的影響。

　　率先布局 中國標(biāo)準(zhǔn)先行

　　自主創(chuàng)新的全球視野，決定了中國LED產(chǎn)業(yè)的使命不是對國際標(biāo)準(zhǔn)的仰望，而是要把中國的標(biāo)準(zhǔn)變成世界的標(biāo)準(zhǔn)。

　　盡管目前市場上主流技術(shù)還是藍(lán)寶石襯底技術(shù)，但在江西省“十三五”規(guī)劃里，依托硅襯底技術(shù)大力發(fā)展LED產(chǎn)業(yè)群是重頭戲之一。江西省當(dāng)?shù)豅ED企業(yè)已經(jīng)率先布局?！肮枰r底高光效GaN基藍(lán)色發(fā)光二極管”由江西省申報，項目主要參與人員包括南昌大學(xué)的江風(fēng)益教授、晶能光電(江西)有限公司的孫錢等人。

　　孫錢在前人研究的基礎(chǔ)上，大膽創(chuàng)新并利用多層AlGaN(氮化鎵異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管)緩沖層技術(shù)，利用高溫外延生長時建立起來的壓應(yīng)力抵消降溫過程中應(yīng)熱膨脹系數(shù)的差異而引起的張應(yīng)力，從而避免了氮化鎵薄膜中龜裂的產(chǎn)生，實現(xiàn)了高質(zhì)量無裂紋的氮化鎵。這也為進一步研發(fā)出適合硅基氮化鎵的多量子阱發(fā)光有源區(qū)和PN結(jié)摻雜等提供了優(yōu)異的材料基礎(chǔ)，真正實現(xiàn)了硅襯底氮化鎵基LED的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)路線。

　　作為目前為止全球唯一一家量產(chǎn)硅襯底LED芯片的廠家，晶能光電所生產(chǎn)的硅襯底 LED 各項指標(biāo)在同類研究中均處于國際領(lǐng)先地位，并與前兩條技術(shù)路線水平持平。而且，硅襯底LED芯片憑借高性價比、方向光、高品質(zhì)出光的特點，不斷延伸至性能更高、附加值更高的白光LED芯片、LED手機閃光燈模組、LED汽車大燈模組、LED路燈模組、LED背光模組等需要方向光、照明級LED領(lǐng)域。

　　在某些細(xì)分高端領(lǐng)域市場，硅襯底LED產(chǎn)品已經(jīng)超越國際大廠，占據(jù)市場份額第一的位置，成為我國LED產(chǎn)業(yè)與國際大廠同臺競爭的核心優(yōu)勢。晶能光電是我國LED產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新的典型代表，用十年時間將一項實驗室技術(shù)發(fā)展成為全球第三條藍(lán)光LED技術(shù)路線，形成全球硅襯底LED專利布局，改變了全球半導(dǎo)體照明技術(shù)格局。

　　除LED照明領(lǐng)域外，接受采訪的業(yè)內(nèi)人士均看好硅基氮化鎵在集成電路(IC)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用?！肮枰r底技術(shù)獲國家大獎，從側(cè)面說明其技術(shù)上已經(jīng)達到國際一流水平，但能否在產(chǎn)業(yè)上實現(xiàn)格局重構(gòu)，還需看其成本優(yōu)勢有多大，因為這個產(chǎn)業(yè)已經(jīng)很市場化，除了國家政策扶持外，資本力量的推動也非常重要。如果該技術(shù)獲得包括風(fēng)投、A股市場資本的持續(xù)追捧，則有望闖出新天地。這還需要時間觀察?！庇薪咏鼑鴦?wù)院高層專家如此表示。

　　硅襯底LED產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)值2012年5億元，2013年超過10億元，2015年超50億元。未來三年，預(yù)計可形成百億產(chǎn)值規(guī)模。硅襯底LED技術(shù)榮獲國家技術(shù)發(fā)明一等獎，是國家對硅襯底LED技術(shù)及其應(yīng)用的最高肯定，更是我國LED產(chǎn)業(yè)以科技創(chuàng)新實現(xiàn)騰飛的重要節(jié)點。