全球硅襯底LED技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——晶能光電近期推出了380-410nm高光效UVA LED產(chǎn)品。采用獨(dú)特的UV-LED外延技術(shù)，克服發(fā)光效率低于藍(lán)光LED和電子空穴不易被束縛在發(fā)光層中的難點(diǎn)，性能達(dá)到國(guó)際一流水平。

　　從第三方測(cè)試結(jié)果來看，晶能光電UVA-LED表現(xiàn)出優(yōu)異的性能指標(biāo)，半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室測(cè)試結(jié)果顯示峰值外量子效率達(dá)到了67%， 亮度達(dá)到700mW@350mA，1000mW@500mA，發(fā)光效率和藍(lán)光LED芯片相當(dāng)，同時(shí)Droop遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于藍(lán)光LED芯片。

　　此次發(fā)布共有三種結(jié)構(gòu)(大功率垂直結(jié)構(gòu)、倒裝結(jié)構(gòu)及橫向結(jié)構(gòu))，共6個(gè)規(guī)格的產(chǎn)品。其中大功率垂直結(jié)構(gòu)芯片規(guī)格為45×45mil，采用的是硅襯底LED技術(shù);倒裝結(jié)構(gòu)芯片規(guī)格有35×35mil和45×45mil，主要性能指標(biāo)見下表：

　　橫向結(jié)構(gòu)芯片包括各種功率范圍，規(guī)格有11×16mil，15×29mil和45×45mil。各芯片的性能和應(yīng)用范圍如下表：

　　晶能光電對(duì)發(fā)布產(chǎn)品做了大量的可靠性實(shí)驗(yàn)。如395nm倒裝結(jié)構(gòu)45×45mil芯片，采用陶瓷封裝后，在PCB板溫度為85度和老化電流700mA的條件下，1000小時(shí)持續(xù)點(diǎn)亮后測(cè)試，其反向漏電0.6uA，光衰為-2.48%。

　　晶能光電此次推出的UVA LED產(chǎn)品具有高性能、高可靠性的優(yōu)勢(shì)，現(xiàn)提供樣品，并可按標(biāo)準(zhǔn)交貨時(shí)間進(jìn)行量產(chǎn)。