日前，由留美博士創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊創(chuàng)立的晶瑞光電，正式推出兩款高光效陶瓷封裝大功率LED產(chǎn)品X3和X4。這兩款產(chǎn)品分別采用了硅襯底垂直結(jié)構(gòu)大功率LED芯片和Flip chip 芯片，在驅(qū)動電流350mA的情況下，平均光效分別達(dá)到148lm/W和150lm/W;在驅(qū)動電流700mA的情況下，平均光效也可分別達(dá)到110lm/W和115lm/W。

　　垂直結(jié)構(gòu)的硅襯底大功率LED芯片具有耐大電流驅(qū)動，散熱好、發(fā)光形貌好、可靠性高、打線少等優(yōu)點。Flip chip 芯片則具有發(fā)光面積大，亮度更高 、散熱更好、無金線工藝、高可靠性等優(yōu)點。晶瑞光電董事長陳振博士表示，選擇垂直結(jié)構(gòu)的硅襯底大功率LED芯片基于兩點考慮：一是硅襯底LED芯片具有自主知識產(chǎn)權(quán)，是名副其實的“中國芯”;二是硅襯底大功率LED芯片非常適合陶瓷封裝，而且適合高端照明。同樣，F(xiàn)lip chip芯片也很適合陶瓷封裝，目前市場Flip chip的高端陶瓷共晶封裝技術(shù)并不多見，而晶瑞恰好利用自身的技術(shù)優(yōu)勢，搶占高端照明級市場。

　　陶瓷共晶封裝在行業(yè)內(nèi)是高端的封裝技術(shù)，其技術(shù)要求高，技術(shù)難點多。晶瑞光電總經(jīng)理周智明表示，晶瑞光電用國際領(lǐng)先的低熱阻陶瓷共晶和精密設(shè)計的Molding角度等技術(shù)，解決了熱電傳導(dǎo)、熒光粉涂敷和光學(xué)導(dǎo)光等難點，實現(xiàn)了硅襯底大功率LED芯片的高光效封裝，釋放了硅襯底大功率LED芯片優(yōu)勢的最大化，同時也實現(xiàn)了Flip chip陶瓷封裝的最高光效。

　　與一般陶瓷封裝產(chǎn)品相比，晶瑞光電發(fā)布的兩款陶瓷共晶封裝大功率產(chǎn)品具有“一大、三低、四高”的特點，即耐大電流，低光衰、低熱阻、低電壓，高光效、高可靠性、高散熱性和高性價比，可應(yīng)用于LED路燈、隧道燈、車大燈以及移動Flash等高端照明。