東芝在2012年12月中旬宣布已經(jīng)開發(fā)出一種在200mm硅晶圓上制造氮化鎵LED的工藝，通過采用新型硅上氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)來生產(chǎn)LED芯片，并且已準(zhǔn)備開始量產(chǎn)。公司日前發(fā)布了現(xiàn)行產(chǎn)品的規(guī)格書，包括一款色溫3000K，一款色溫4000K及兩款色溫5000K的LED產(chǎn)品。

　　幾款產(chǎn)品的規(guī)格書都給出的是350mA驅(qū)動(dòng)電流下的測(cè)試數(shù)據(jù)。在典型正向電壓為2.9V時(shí)，色溫5000K，顯色指數(shù)為70的TL1F1-NW0,L光效為110 lm/W，而同樣為5000K，顯色指數(shù)升高到80的TL1F1-NW1，L光效則降低到94 lm/W。另外兩款產(chǎn)品，3000K的TL1F1-LW1,L和4000K的TL1F1-WH1,L顯色指數(shù)都為80，光效也都達(dá)到84 lm/W。

　　規(guī)格書還顯示了新LED產(chǎn)品的最大額定值。連續(xù)驅(qū)動(dòng)電流最大為800mA，而脈沖時(shí)最大可達(dá)1A。最高功率損耗為2.9W。當(dāng)使用最高功率時(shí)產(chǎn)品光通量可接近加倍。