隨摩爾定律的腳步，半導體市場在2012年將會正式跨入28奈米製程世代。走在市場前端的宜特今宣佈，宜特至2010年已開始佈局，2011年與知名IC設計大廠合作，歷經(jīng)研究測試，2012年正式突破技術(shù)門檻，不僅替客戶完成難度極高的28奈米最小線寬修改，且電路除錯能力更深入至IC最底層(Metal 1)。

　　宜特觀察發(fā)現(xiàn)，28奈米是現(xiàn)今市場上各大廠欲跨入的製程，此製程可為IC產(chǎn)品帶來更高的效能，更低的能耗，與更輕薄短小的尺寸，相當符合現(xiàn)今行動裝置的需求，因此許多大廠紛紛導入。

　　晶圓代工龍頭臺積電在2011底率先量產(chǎn)28奈米製程產(chǎn)品，并預估今年28奈米製程產(chǎn)品將達到整體營收的10%。市佔率居次的聯(lián)電近期也傳出接獲數(shù)間大廠的28奈米訂單，進入試產(chǎn)階段。緊追在后的叁星電子及格羅方德(Global foundries)，也各自有其在先進製程上的佈局。

　　不過，28奈米製程亦有技術(shù)上的挑戰(zhàn)。宜特科技可靠度與FIB工程處副總經(jīng)理崔革文表示，28奈米在設計與佈局上的復雜度大幅升高，并且很難有一套通用的可製造性設計(Design for manufacture，DFM)模型來確保設計與佈局的正確性，將導致IC設計業(yè)者須進行更為頻繁的光罩改版，增加時間成本與金錢成本的負擔，一套28奈米光罩要價近2億臺幣，是40奈米的好幾倍，往來重新下光罩亦需一個多月。

　　因此，許多業(yè)者採FIB(Focused ion beam，聚焦離子束)線路修改技術(shù)，藉此省去光罩改版的時間與金錢成本。崔革文說：「FIB在28奈米產(chǎn)品的除錯與驗證上勢必將扮演更為重要的角色。」

　　FIB工程處經(jīng)理 許如宏表示，早在2010年，宜特即展開28奈米IC線路修改的研究與佈局，針對最底層(Metal 1)的極小線路作修改測試，并從極小間距中，研究如何設定正確參數(shù)將訊號引出，還可利用獨有的低阻值連線技術(shù)(宜特已有中華民國專利)，克服過大阻值易造成高頻訊號的延遲與失真，目前在各個環(huán)節(jié)上均已完成驗證，技術(shù)能量已可滿足現(xiàn)今所有先進製程產(chǎn)品的除錯與驗證需求。

　　許如宏進一步指出，工欲善其事，必先利其器，宜特除了擁有技術(shù)外，亦在這兩年，建造完成國內(nèi)唯一同時擁有可勝任40奈米與28奈米線路修改的實驗室，除了一般的Front-side FIB技術(shù)外，亦可支援Back-side FIB線路修改技術(shù)。

　　Back-side FIB其塬理是從IC晶片的背面(即硅基材端)來進行線路修改，該相關(guān)技術(shù)近年來受到高度矚目，其需求亦日益趨多。特別在連線密度與I/O數(shù)都特別高的28奈米製程上，由于需要更多層的金屬連線與更高比例的覆晶封裝(Flip Chip)形式，也因此，使用Back-side FIB線路修改將成為未來主流。

　　關(guān)于宜特科技

　　始創(chuàng)于1994年，宜特科技從 IC 線路除錯及修改起步，逐年拓展新服務，包括故障分析、可靠度驗證、材料分析與品質(zhì)保證等，建構(gòu)完整驗證與分析工程平臺與全方位服務?？蛻艄爣依穗娮赢a(chǎn)業(yè)上游 IC 設計至中下游成品端。隨著綠色環(huán)保意識抬頭，宜特不僅專注核心服務，并關(guān)注國際趨勢拓展多元性服務，建置無鉛與無鹵可靠度驗證、化學定量分析與碳足跡溫室氣體盤查服務，順利取得多項國際知名且具公信力的機構(gòu) ─ 德國 TUV NORD 與英國 BSI 認證。同時在國際大廠的外包趨勢下，宜特科技也扮演品牌公司委外製造產(chǎn)品的獨立品質(zhì)驗證第叁公證實驗室，取得 Motorola、Dell、Cisco與Delphi的可靠度驗證資格。進一步資訊請至公司網(wǎng)站http://www.istgroup.com 查詢。