普瑞光電指出，轉(zhuǎn)向矽基板的技術(shù)突破，將為L(zhǎng)ED產(chǎn)業(yè)帶來(lái)革命性的進(jìn)展。該公司并有信心成為導(dǎo)入、運(yùn)用此技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商。根據(jù)普瑞光電研究，氮化鎵上矽 LED的效能，足以媲美12至24個(gè)月前推出的頂級(jí)藍(lán)寶石基板LED。預(yù)估未來(lái)2至3年內(nèi)，應(yīng)用于商業(yè)市場(chǎng)的氮化鎵上矽LED產(chǎn)品，就能上市銷(xiāo)售。

　　目前LED磊晶生成大多系采用藍(lán)寶石基板或碳化矽基板材料。但大直徑的藍(lán)寶石基板與碳化矽基板成本較高，并且加工困難，貨源亦不易取得，導(dǎo)致以藍(lán)寶石基板和碳化矽基板生產(chǎn)的LED照明產(chǎn)品，迄今尚無(wú)法普及到住宅與商業(yè)建筑等領(lǐng)域。

　　不過(guò)，普瑞光電認(rèn)為，若能在直徑更大、成本較低廉的矽晶圓上生成氮化鎵，并采用與現(xiàn)代半導(dǎo)體生產(chǎn)線相容的制程，則LED磊晶產(chǎn)品之成本，可望將較現(xiàn)有制程有效降低75%。

　　這次普瑞光電運(yùn)用氮化鎵上矽(GaN-On-Silicon)LED技術(shù)達(dá)成每瓦135流明之效能，是采用350mA電流的1.5mmLED，其相對(duì)色溫CCT為4730K。這些LED只需要極低的運(yùn)作電壓、2.90伏特，就可以在350mA環(huán)境下運(yùn)作。若在1安培電流下，更僅需小于3.25伏特的電壓。

　　由于這些元件具備極低的順向電壓，及優(yōu)異的熱阻特性，因此適用于各種高效能的照明及應(yīng)用。而優(yōu)化的磊晶制程針對(duì)8吋矽晶圓，將使LED的制程能相容于現(xiàn)行的自動(dòng)半導(dǎo)體生產(chǎn)線。

　　普瑞光電采用輕資產(chǎn)營(yíng)運(yùn)模式，主要系運(yùn)用本身在LED磊晶領(lǐng)域的研發(fā)既入基礎(chǔ)與智慧財(cái)產(chǎn)資源，和伙伴廠商合作生產(chǎn)各種矽基LED。為了擴(kuò)大量產(chǎn)新技術(shù)LED，公司目前正和多家著名半導(dǎo)體廠商洽談，計(jì)畫(huà)將運(yùn)用全球各地已折舊的8吋晶圓廠及其制程，來(lái)生產(chǎn)LED。

　　普瑞光電執(zhí)行長(zhǎng)Bill Watkins表示，矽基LED技術(shù)將可大幅降低固態(tài)照明的成本結(jié)構(gòu)，為固態(tài)照明領(lǐng)域廠商省下大筆的初期投資資金。預(yù)期只需2到3年內(nèi)，即使是對(duì)價(jià)格最敏感的市場(chǎng)，例如商務(wù)與辦公室照明、住宅應(yīng)用以及換新燈具等，都將極快速地轉(zhuǎn)型成固態(tài)照明產(chǎn)品。