采用碳化硅作為基底以后，的確可以大為改善其散熱，但是其成本過高，而且有專利保護(hù)。最近國(guó)內(nèi)的廠商開始采用硅材料作為基底。因?yàn)楣璨牧系幕撞皇軐＠南拗?。而且性能還優(yōu)于藍(lán)寶石。唯一的問題是GaN的膨脹系數(shù)和硅相差太大而容易發(fā)生龜裂，解決的方法是在中間加一層氮化鋁(AlN)作緩沖。

　　LED芯片封裝以后，從芯片到管腳的熱阻就是在應(yīng)用時(shí)最重要的一個(gè)熱阻，一般來說,芯片的接面面積的大小是散熱的關(guān)鍵，對(duì)于不同的額定功率，要求有相應(yīng)大小的接面面積。也就表現(xiàn)為不同的熱阻。幾種類型的LED的熱阻如下所示：

　　早期的LED芯片主要靠?jī)筛饘匐姌O而引出到芯片外部，最典型的就是稱為ф5或F5的草帽管，它的散熱完全靠?jī)筛?xì)細(xì)的金屬導(dǎo)線引出去，所以散熱效果很差，熱阻很大，這也就是為什么這種草帽管的光衰很嚴(yán)重的原因。此外，封裝時(shí)采用的材料也是一個(gè)很重要的問題。小功率LED通常采用環(huán)氧樹脂作為封裝材料，但是環(huán)氧樹脂對(duì)400-459nm的光線吸收率高達(dá)45%，很容易由于長(zhǎng)期吸收這種短波長(zhǎng)光線以后產(chǎn)生的老化而使光衰嚴(yán)重，50%光衰的壽命不到1萬小時(shí)。因而在大功率LED中必須采用硅膠作為封裝材料。硅膠對(duì)同樣波長(zhǎng)光線的吸收率不到1%。從而可以把同樣光衰的壽命延長(zhǎng)到4萬小時(shí)。

　　下面列出各家LED芯片公司所生產(chǎn)的各種型號(hào)LED的熱阻

　　由表中可見，Cree公司的LED的熱阻因?yàn)椴捎昧颂蓟枳骰祝绕渌镜臒嶙柚辽俚鸵槐?。大功率LED為了改進(jìn)散熱通常在基底下面再放一塊可焊接的銅底板以便焊到散熱器上去。這些熱阻實(shí)際上都是在這個(gè)銅底板上測(cè)得的。