杭州遠(yuǎn)方光電信息股份有限公司對(duì)該產(chǎn)品進(jìn)行了產(chǎn)品檢測(cè)，青島杰生電氣生產(chǎn)的波長(zhǎng)280納米的深紫外LED，在 20毫安連續(xù)直流電流下，發(fā)光強(qiáng)度超過(guò)2.0毫瓦，外量子效率大于2.5%;目前用它制成的深紫外LED模組標(biāo)定輸出功率超過(guò)32毫瓦。

　　青島杰生電氣有限公司成立于2001年，致力于氮化鎵基金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備(GaN- MOCVD)的研發(fā)，取得了MOCVD設(shè)備制造技術(shù)、高質(zhì)量GaN外延材料制備技術(shù)、高性能p型GaN材料制備技術(shù)、高質(zhì)量InGaN/GaN多量子阱制備技術(shù)、高亮度GaN藍(lán)光、紫光以及紫外光LED外延片制備技術(shù)、高Al組分AlGaN材料制備技術(shù)和深紫外LED制造技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)突破。

青島杰生背景：

杰生的官方網(wǎng)站（www.qdjason.com）這樣寫著：

　　青島杰生電氣有限公司成立于2001年 ，是由留學(xué)回國(guó)人員創(chuàng)辦的高新技術(shù)企業(yè)，坐落于青島高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)。

　　公司擁有一支本領(lǐng)域高尖端人才隊(duì)伍，專門從事氮化鎵外延生長(zhǎng)的“金屬有機(jī)物氣相淀積法”設(shè)備(簡(jiǎn)稱： MOCVD SYSTEM)的研制開發(fā)和生產(chǎn)，是國(guó)內(nèi)目前唯一的GaN-MOCVD設(shè)備生產(chǎn)制造廠家。

　　公司自成立以來(lái)，已先后研制開發(fā)出了具有國(guó)際先進(jìn)水平的2英寸單片和2英寸3片的氮化鎵基外延材料生長(zhǎng)設(shè)備，該設(shè)備已成功投入使用，在藍(lán)寶石Sapphire晶片和 碳化硅SiC 晶片生長(zhǎng)出各種結(jié)構(gòu)的GaN基材料。

　　公司以研發(fā)和生產(chǎn)高質(zhì)量GaN-MOCVD SYSTEM為起點(diǎn)，開發(fā)具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、高技術(shù)含量、高附加值的從研究型到生產(chǎn)型MOCVD SYSTEM，該系列成果經(jīng)專家鑒定已達(dá)到目前同類技術(shù)和產(chǎn)品的國(guó)際先進(jìn)水平，并已獲得國(guó)家發(fā)明專利。目前正在研制的“GaN-MOCVD深紫外LED材料生長(zhǎng)設(shè)備”項(xiàng)目已獲得“十一五”國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)新材料領(lǐng)域“半導(dǎo)體照明工程”重大項(xiàng)目課題支持。

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