國家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)新材料技術(shù)領(lǐng)域“先進(jìn)激光材料及全固態(tài)激光技術(shù)”主題項(xiàng)目申請(qǐng)指南

　　在閱讀本申請(qǐng)指南之前，請(qǐng)先認(rèn)真閱讀《國家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)申請(qǐng)須知》(詳見科學(xué)技術(shù)部網(wǎng)站國家科技計(jì)劃項(xiàng)目申報(bào)中心的863計(jì)劃?rùn)谀?，了解申請(qǐng)程序、申請(qǐng)資格條件等共性要求。

　　一、指南說明

　　依據(jù)《國家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006-2020年)》，為滿足先進(jìn)制造、精密測(cè)量和國家重大科學(xué)工程等對(duì)全固態(tài)激光器的迫切需求，設(shè)立“先進(jìn)激光材料及全固態(tài)激光技術(shù)”主題項(xiàng)目。

　　本項(xiàng)目通過突破人工晶體材料及全固態(tài)激光器研制和產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的系列化高功率、皮秒和紫外全固態(tài)激光器產(chǎn)品，促進(jìn)我國人工晶體材料和全固態(tài)激光器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

　　本主題項(xiàng)目的任務(wù)落實(shí)只針對(duì)項(xiàng)目整體進(jìn)行，項(xiàng)目申請(qǐng)者應(yīng)針對(duì)指南內(nèi)容，圍繞項(xiàng)目總體目標(biāo)和任務(wù)進(jìn)行申請(qǐng)，而不要只針對(duì)項(xiàng)目部分目標(biāo)和任務(wù)進(jìn)行申請(qǐng)。

　　項(xiàng)目可以由一家申請(qǐng)，也可以由多家共同申請(qǐng)。對(duì)于多家共同申請(qǐng)的主題項(xiàng)目，由研究單位自行組合形成項(xiàng)目申請(qǐng)團(tuán)隊(duì)(一個(gè)單位只能參加一個(gè)申請(qǐng)團(tuán)隊(duì))，并提出項(xiàng)目牽頭申請(qǐng)單位和申請(qǐng)負(fù)責(zé)人，由項(xiàng)目牽頭申請(qǐng)單位具體負(fù)責(zé)項(xiàng)目申請(qǐng)。

　　項(xiàng)目申請(qǐng)要提出項(xiàng)目分解(包括任務(wù)分解及經(jīng)費(fèi)分解)方案，提出項(xiàng)目課題安排及承擔(dān)單位建議，并填寫課題申請(qǐng)書(項(xiàng)目擬分解的課題數(shù)最多不超過10個(gè))。

　　二、指南內(nèi)容

　　1、項(xiàng)目名稱

　　先進(jìn)激光材料及全固態(tài)激光技術(shù)

　　2、項(xiàng)目總體目標(biāo)

　　突破人工晶體、全固態(tài)激光器及其核心器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)出系列化高功率、皮秒和紫外全固態(tài)激光器產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)工業(yè)示范應(yīng)用，促進(jìn)我國人工晶體和全固態(tài)激光器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

　　3、項(xiàng)目主要研究?jī)?nèi)容

　　(1)深紫外激光器及人工晶體關(guān)鍵技術(shù)

　　KBBF/RBBF晶體生長(zhǎng)、KBBF-PCT器件制備、激光高次諧波和激光線寬控制等技術(shù)研究。

　　(2)新型晶體材料及器件技術(shù)

　　超晶格晶體制備、超晶格可調(diào)諧鎖模、Nd:YAG激光陶瓷材料制備等技術(shù)研究。

　　(3)千瓦級(jí)光纖材料及全光纖激光器

　　低光子暗化光纖制備、全光纖種子源研制、全光纖激光器整機(jī)設(shè)計(jì)和裝配等技術(shù)研究。

　　(4)單頻激光器關(guān)鍵技術(shù)

　　縱?？刂?、增益光纖與標(biāo)準(zhǔn)光纖熔接、倍頻晶體抗光損傷工藝等技術(shù)研究。

　　(5)紫外激光器產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用

　　光學(xué)晶體長(zhǎng)壽命使用、激光器單元模塊化、系統(tǒng)集成等產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)開發(fā);紫外激光微加工應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

　　(6)高功率激光器產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用示范

　　大批量Nd:YAG單晶高質(zhì)量低成本生長(zhǎng)及加工、激光振蕩放大、系統(tǒng)集成等產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)研發(fā);高功率激光在焊接、表面處理等方面的應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

　　(7)皮秒激光器產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用示范

　　皮秒激光振蕩、再生與行波放大、系統(tǒng)集成等產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)研發(fā);皮秒激光微加工應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。[NT:PAGE=.$]

　　4、項(xiàng)目主要考核指標(biāo)

　　(1)深紫外人工晶體及激光器

　　KBBF晶體尺寸>15×10×4mm3，RBBF晶體尺寸>12×6×1.5mm3，KBBF-PCT器件透過率>95%@193nm;177.3nm激光器功率>100mW。

　　(2)光學(xué)超晶格鎖模器件

　　線性損耗<0.5%/cm、尺寸≥20×3×1mm3;鎖模激光器：1.0μm/0.5μm雙波長(zhǎng)和1.3μm;激光陶瓷尺寸≥100×100×20mm3、透光率≥80%@1064nm。

　　(3)千瓦級(jí)光纖材料及激光器

　　雙包層光纖材料光子暗化<12dB/m@633nm;全光纖激光器功率>1.5kW、光束質(zhì)量M2<1.5。

　　(4)單頻激光器

　　倍頻晶體KTP抗光損傷閾值>2GW/cm2@1064nm/10ns/10Hz;單頻綠光激光器功率>10W、線寬<2MHz、噪聲<0.03%RMS;單頻光纖激光器功率>5W、線寬<10kHz、邊模抑制比>60dB。

　　(5)紫外激光器

　　功率10W/20W/30W系列，重復(fù)頻率50～150kHz，光束質(zhì)量M2≤1.3，8小時(shí)內(nèi)功率起伏<3%，無故障運(yùn)行時(shí)間≥5000小時(shí)，實(shí)現(xiàn)與加工系統(tǒng)的匹配及定型生產(chǎn)。

　　(6)高功率激光器

　　Nd:YAG晶坯直徑≥100mm、單程損耗≤2×10-3/cm@1064nm，鍵合晶體的鍵合面損耗≤0.1%;3kW和5kW激光器產(chǎn)品:光纖芯徑為400μm，連續(xù)無故障運(yùn)行時(shí)間≥5000小時(shí)，實(shí)現(xiàn)與加工系統(tǒng)的匹配及定型生產(chǎn);激光器功率≥6kW，8小時(shí)內(nèi)功率起伏<±2%。

　　(7)皮秒激光器產(chǎn)品

　　千赫茲10～20mJ@1064nm、5～10mJ@532nm、1～2mJ@355nm,脈沖寬度≤20ps，光束質(zhì)量M2≤2，連續(xù)無故障運(yùn)行時(shí)間≥5000小時(shí)，實(shí)現(xiàn)與加工系統(tǒng)的匹配及定型生產(chǎn)。

　　5、項(xiàng)目支持年限為2年。

　　6、項(xiàng)目國撥經(jīng)費(fèi)控制額為9000萬元，自籌經(jīng)費(fèi)不低于國撥經(jīng)費(fèi)控制額。

　　三、注意事項(xiàng)

　　1、鼓勵(lì)“產(chǎn)學(xué)研用”聯(lián)合申報(bào)，項(xiàng)目下設(shè)每個(gè)課題的協(xié)作單位原則上不超過5家。

　　2、受理時(shí)間：項(xiàng)目申請(qǐng)受理截止日期為2010年12月8日17時(shí)。

　　3、申報(bào)要求：項(xiàng)目申請(qǐng)采取網(wǎng)上申報(bào)方式，申報(bào)通過“國家科技計(jì)劃項(xiàng)目申報(bào)中心”進(jìn)行，網(wǎng)址為program.most.gov.cn。請(qǐng)按要求編寫《國家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)主題項(xiàng)目申請(qǐng)書》，具體申請(qǐng)程序、要求及其他注意事項(xiàng)詳見《國家高技術(shù)發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)申請(qǐng)須知》。

　　4、咨詢聯(lián)系人及聯(lián)系電話、電子郵件

　　咨詢聯(lián)系人：史冬梅

　　聯(lián)系電話：010-88372105/68338919

　　電子郵件：shidm@htrdc.com

　　863計(jì)劃新材料技術(shù)領(lǐng)域辦公室

　　2010年10月20日[NT:PAGE=.$]