一種用MOVCD生長氮化物外延層和氮化物發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)外延片的方法，它采用MOCVD技術(shù)，利用高純NH3做N源，高純H↓[2]或N↓[2]做載氣，三甲基鎵(TMGa)或三乙基鎵(TEGa)和三甲基銦(TMIn)和三甲基鋁(TMAl)分別做Ga源和In源和Al源;襯底為藍(lán)寶石(Al2O3);該方法包括在MOCVD反應(yīng)室中把藍(lán)寶石襯底加熱到500℃，在H↓[2]氣氛下，通入三甲基鎵(TMGa)生長一GaN層，在高溫(～1200℃)H↓[2]氣氛下，GaN和襯底表層的藍(lán)寶石(Al↓[2]O↓[3])發(fā)生反應(yīng)，可以更好地清除藍(lán)寶石表面的損傷層及其表面的污染，也可以在藍(lán)寶石表面腐蝕出納米量級(jí)的微坑，這些微坑對(duì)改善外延層的質(zhì)量有好處，更重要的是可以增加LED的出光效率。

　　主權(quán)項(xiàng)

　　一種MOVCD生長氮化物外延層方法，它采用MOCVD技術(shù)，利用高純NH3做N源，高純H2或N2做載氣，三甲基鎵(TMGa)或三乙基鎵(TEGa)和三甲基銦(TMIn)和三甲基鋁(TMAl)分別做Ga源和In源和Al源;襯底為藍(lán)寶石(Al2O3);其特征在于，該方法包括以下步驟：　步驟一，在MOCVD反應(yīng)室中把藍(lán)寶石襯底加熱到500℃和900℃之間，用H2或N2氣作載氣，通入三甲基鎵(TMGa)和NH3在藍(lán)寶石表面生長一GaN犧牲層;其厚度在10納米到200納米之間;　步驟二，GaN犧牲層生長完畢之后，停止向反應(yīng)室通入三甲基鎵(TMGa)，繼續(xù)向反應(yīng)室通入NH3，繼續(xù)向反應(yīng)室通入H2或N2氣，同時(shí)將生長溫度升高到1100℃以上;　步驟三，當(dāng)生長溫度升高到1100℃以上地某一設(shè)定的溫度之后，停止向反應(yīng)室通入NH3，只向反應(yīng)室通入H2或H2和N2的混合氣，使GaN犧牲層分解，同時(shí)和藍(lán)寶石表面發(fā)生反應(yīng);　步驟四，在H2氣氛下或H2和N2的混合氣氛下或N2氣氛下，把MOCVD反應(yīng)室溫度降低至500℃到900℃的某一設(shè)定溫度，通入三甲基鎵(TMGa)和NH3生長GaN成核層，其厚度控制在10納米到50納米之間;　步驟五，GaN成核層生長完畢之后，停止向反應(yīng)室通入三甲基鎵(TMGa)，繼續(xù)向反應(yīng)室通入NH3，繼續(xù)向反應(yīng)室通入H2或N2氣，同時(shí)將生長溫度升高到1000℃以上的某一設(shè)定溫度，使GaN成核層達(dá)到退火的目的;　步驟六，繼續(xù)向反應(yīng)室通入NH3，繼續(xù)向反應(yīng)室通入H2或N2氣，將溫度保持在1000℃以上的某一設(shè)定溫度，同時(shí)向反應(yīng)室通入三甲基鎵(TMGa)，開始在高溫下生長高質(zhì)量的GaN外延層。