歐司朗直接發(fā)光的50 mW綠色InGaN激光器試驗成功
摘要: 13日,歐司朗光電半導體發(fā)布新聞稿表示,成功研發(fā)直接發(fā)光綠色氮化銦鎵(InGaN) 激光,該款激光的光輸出高達 50 mW,發(fā)射波長為 515 nm 的真綠光線。與目前采用倍頻技術的半導體激光相比,直接發(fā)光綠色激光器體積更小,溫度穩(wěn)定性更高,調(diào)制能力更強,更易于控制。
13日,歐司朗光電半導體發(fā)布新聞稿表示,成功研發(fā)直接發(fā)光綠色氮化銦鎵(InGaN) 激光,該款激光的光輸出高達 50 mW,發(fā)射波長為 515 nm 的真綠光線。與目前采用倍頻技術的半導體激光相比,直接發(fā)光綠色激光器體積更小,溫度穩(wěn)定性更高,調(diào)制能力更強,更易于控制。
歐司朗光電半導體突破氮化銦鎵 (InGaN) 材料系統(tǒng)以往的局限性。在預開發(fā)階段,歐司朗光電半導體即已采用氮化銦鎵 (InGaN) 材料成功生產(chǎn)出首款光輸出較高的直接發(fā)光綠色激光二極管。該款二極管可發(fā)射“真綠”光線,光譜范圍介于515-535 nm 之間。在這個光譜范圍內(nèi),目前市售的優(yōu)質(zhì)高效半導體激光器僅限于倍頻版本。然而,從中期來看,直接發(fā)光綠色激光器可在眾多應用中取代倍頻激光器,因為相比之下,直接發(fā)光綠色激光器更易于控制,溫度穩(wěn)定性更高,體積更小,而且在數(shù)百兆赫時調(diào)制能力更強。
歐司朗光電半導體技術總監(jiān) Christian Fricke 博士表示,在脈沖模式下,實驗室原型在室溫下的光輸出已達到 50 mW,閥值電流密度約為 9 kA/cm²。這臺演示器足以證明,可以使用氮化銦鎵 (InGaN) 生產(chǎn)綠色激光器。因此,歐司朗將著手開始生產(chǎn)具有成本效益的緊湊型高品質(zhì)綠色激光光源。綠色激光器廣泛應用于醫(yī)療和工業(yè)領域,也可用作移動迷你投影機的光源。采用直接發(fā)光綠色激光器,可使這類投影機的體積更小、性能更佳。目前,歐司朗光電半導體已推出商用藍色氮化銦鎵 (InGaN) 激光二極管。
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