大阪大學試制出利用GaN系半導體的紅色LED組件
摘要： 大阪大學研究生院工學研究系材料生產科學專業(yè)教授藤原康文試制出了利用GaN系半導體的紅色LED組件。利用GaN系半導體的藍色LED組件及綠色LED組件現(xiàn)已達到實用水平，但試制出紅色LED組件“還是全球首次”（藤原）。
大阪大學研究生院工學研究系材料生產科學專業(yè)教授藤原康文試制出了利用GaN系半導體的紅色LED組件。利用GaN系半導體的藍色LED組件及綠色LED組件現(xiàn)已達到實用水平，但試制出紅色LED組件“還是全球首次”(藤原)。如果可與藍色LED組件及綠色LED組件一樣，利用GaN系半導體制造出紅色LED組件，便可在相同底板內實現(xiàn)RGB的3原色。這樣一來，估計將有助于實現(xiàn)像素尺寸較小且精細度較高的LED顯示器。
此次，通過在發(fā)光層上利用添加稀土類元素“銪(Eu)”的GaN，實現(xiàn)了紅色LED組件。此前也進行過向GaN添加Eu以獲得紅色光的研究，但原來采用離子注入法添加Eu，通過光致激發(fā)(Photoexcitation)獲得紅色光。而藤原的研究小組采用MOCVD法添加Eu，同時通過注入電流成功地獲得了紅色光。這是“全球首次”采用該方法獲得紅色激光。
試制品在驅動電流為20mA，驅動電壓為6V時，光輸出功率為1.3μW。雖然光輸出功率尚小，但作為LED組件，如果進一步優(yōu)化電極結構等，預計還可大幅提高光輸出功率。(編輯：XGY)
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