法國科學(xué)家的研究顯示，“單晶”(monolithic)白光發(fā)光二極管(WLED)的表現(xiàn)可望超越先前使用復(fù)合技術(shù)制造的WLED。CRHEA-CNRS的Benjamin Damilano及其研究團(tuán)隊(duì)利用氮化銦鎵(GaInN)/氮化鎵(GaN)制量子阱來產(chǎn)生藍(lán)光及黃光，進(jìn)而制作出WLED。這項(xiàng)成果使WLED的商業(yè)化有向前推進(jìn)一步，未來有希望取代目前使用的白熾燈泡。

　　科學(xué)家在WLED方面已經(jīng)努力了近十年，希望制作出效率高、壽命長且便宜的固態(tài)WLED，以便與現(xiàn)行高耗能的白熾燈泡或熒光燈管一較長短。雖然發(fā)光效率達(dá)200lm/W的WLED已經(jīng)問世，但與傳統(tǒng)光源相比，成本仍舊偏高。

　　近來，包含CRHEA-CNRS在內(nèi)的許多研究團(tuán)隊(duì)都證實(shí)，通過在氮化鎵的p-n接口中堆棧氮化銦鎵或氮化鎵量子阱，就可以制造出單晶WLED。所謂單晶是指采用連續(xù)外延生長的單一工法來取代傳統(tǒng)制造磷光WLEDs的雙重工法(外延加上沉積)。這項(xiàng)技術(shù)不僅能降低成本，更可以提升產(chǎn)品可靠度。

　　CRHEA-CNRS團(tuán)隊(duì)借助在組件p-n接口中的電子主動(dòng)區(qū)生長不同厚度的量子阱，來產(chǎn)生藍(lán)光及黃光，混合后便能產(chǎn)生白光。然而這項(xiàng)設(shè)計(jì)有個(gè)缺陷：激發(fā)出的光對于注入的電流變化非常敏感，所以組件的發(fā)光效率會(huì)被黃光量子阱限制住。

　　生產(chǎn)WLED的現(xiàn)場