王鋼，男，1968年11月生?，F(xiàn)任中山大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院教授，博士生導(dǎo)師。

　　1991年8月畢業(yè)于吉林大學(xué)電子科學(xué)系半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)，取得工學(xué)學(xué)士學(xué)位。畢業(yè)后就職于中韓合資大連元光電子有限公司(中國(guó)大連開(kāi)發(fā)區(qū))，主要負(fù)責(zé)半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)的研發(fā)與生產(chǎn)線改造工作。

　　1994年4月自費(fèi)去日本國(guó)立名古屋工業(yè)大學(xué)留學(xué)，就讀于該校電氣情報(bào)工學(xué)專業(yè)(E.E)，師從神保孝志教授，并于1998年3月取得工學(xué)碩士學(xué)位，2001年3月取得工學(xué)博士學(xué)位。這期間主要從事與GaAs基，GaN基等III-V族化合物半導(dǎo)體材料的MOCVD生長(zhǎng)與相關(guān)光電子器件的制作方面的研究。在攻讀博士學(xué)位期間，還曾經(jīng)被聘為研究助手(RA)和教學(xué)助手(TA)對(duì)本科生及碩士生的畢業(yè)研究進(jìn)行了指導(dǎo)。

　　2001年4月至2004年4月，就職于(株)富士通量子器件公司(日本 甲府)，這是一家世界最大規(guī)模的化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)制造廠家。這期間主要從事于10Gp/s，40Gp/s超高速光通訊系統(tǒng)用InP基光電探測(cè)器的芯片與模塊設(shè)計(jì)，量產(chǎn)方面的研發(fā)工作。

　　2004年5月至今，本人作為中山大學(xué)“百人計(jì)劃”2類人才，受聘于中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，從事光電化合物半導(dǎo)體材料制作及相關(guān)元器件機(jī)理方面的研究，教學(xué)工作。

　　主要研究方向：

　　光學(xué)工程學(xué)科，研究方向：光電化合物半導(dǎo)體材料與器件制備技術(shù)。包括：

　　應(yīng)用于10/40Gbps光通訊系統(tǒng)的超高速半導(dǎo)體光電探測(cè)器件研究;

　　應(yīng)用于THz發(fā)射和探測(cè)的新型固態(tài)納電子器件研究;

　　應(yīng)用于固態(tài)照明的大功率白光LED封裝及其芯片制備技術(shù)研究;

　　III-V族化合物半導(dǎo)體材料MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)研究等。

　　主要任職：

　　中山大學(xué)(理科)學(xué)術(shù)委員會(huì) 委員

　　光信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)課程體系負(fù)責(zé)人

　　中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 主任助理

　　中山大學(xué)半導(dǎo)體照明系統(tǒng)研究中心 主任

　　承擔(dān)課題：

　　中山大學(xué)“百人計(jì)劃”二層次引進(jìn)人才科研啟動(dòng)項(xiàng)目;

　　中山大學(xué)校級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目;

　　廣東省科技計(jì)劃項(xiàng)目;

　　廣東省自然科學(xué)基金項(xiàng)目;

　　廣州市科技計(jì)劃項(xiàng)目;

　　佛山市禪城區(qū)產(chǎn)學(xué)研合作項(xiàng)目等。

　　發(fā)表論文：

　　1.G. Yu, G. Wang, H. Ishikawa, M. Umeno, T. Soga, T. Egawa, J. Watanabe and T. Jimbo: “Optical properties of wurtzite structure GaN on sapphire around fundamental absorption edge (0.78 – 4.77 eV) by spectroscopic ellipsometry and the optical transmission method”, Appl. Phys. Lett. , 70, 3209 - 3211 (1997).

　　2.G. Wang, G. Y. Zhao, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Effects of H plasma passivation on the optical and electrical properties of GaAs-on-Si”, Jpn. J. Appl. Phys., 37, L1280 – L1282 (1998).

　　3.G. Wang, M. Kawai, K. Ohtsuka, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “H plasma passivation of MOCVD grown GaAs-on-Si for high efficiency solar cells”, Proceedings of the 2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, (Vienna, Austria, 1998) European Commission, 3733 – 3736, (1999).

　　4.G. Wang, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “A novel hydrogen passivation method for GaAs on Si grown by MOCVD”, COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998, INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES, 162, 597-602 (1999).

　　5.G. Wang, K. Ohtsuka, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Hydrogen plasma passivation and improvement of the photovoltaic properties of a GaAs solar cell grown on Si substrate”, Jpn. J. Appl. Phys., 38, 3504 – 3505 (1999).

　　6.G. Wang, T. Ogawa, K. Ohtsuka, G. Y. Zhao, T. Soga T. Jimbo and M. Umeno: “Photoluminescence studies of hydrogen-passivated Al0.13Ga0.87As grown on Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition”, Jpn. J. Appl. Phys., 38, L796 – L798 (1999).

　　7.G. Wang, T. Ogawa, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Surface and bulk passivation of GaAs solar cell on Si substrate by H2+PH3 plasma”, Appl. Phys. Lett., 76, 730 – 732 (2000).

　　8.T. Soga, G. Wang, K. Ohtsuka, T. Jimbo and M. Umeno: “Hydrogen plasma passivation for GaAs solar cell on Si substrate”, J. Appl. Phys., 87, 2285 – 2288 (2000).

　　9.G. Wang, K. Otsuka, T. Ogawa, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “A detailed study of H plasma passivation effect on GaAs-on-Si solar cell”, Solar Energy Material and Solar Cell, 66, 599 – 605 (2001).

　　10.K. Akahori, G. Wang, K. Okumura, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Improvement of the MOCVD-grown InGaP on Si substrate towards high efficiency solar cell”, Solar Energy Material and Solar Cell, 66, 593 – 598 (2001).

　　11.G. Wang, T. Ogawa, T. Soga, T. Egawa, T. Jimbo and M. Umeno: “Hydrogenation of GaAs-on-Si Schottky diodes by PH3-added plasma”, Appl. Sur. Sci., 159/160, 191 – 196 (2000).

　　12.G. Wang, T. Ogawa, T. Soga, T. Egawa, T. Jimbo and M. Umeno: “PH3/H2 plasma passivation of metalorganic chemical vapor deposition grown GaAs on Si”, J. Appl. Phys., 88, 3689 – 3694 (2000).

　　13.G. Wang, T. Ogawa, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Surface and bulk passivation of defects in GaAs/Si by RF plasma-assisted MOCVD”, J. Cryst. Growth, 221, 172 -176 (2000).

　　14.G. Wang, T. Soga, T. Egawa, T. Jimbo and M. Umeno: “Enhanced spontaneous emission in hydrogen-plasma-passivated AlGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser structures grown on Si substrate”, Electron. Lett., 36, 1462 – 1464, (2000).

　　15.G. Wang, T. Ogawa, F. Kunimasa, M. Umeno T. Soga, T. Jimbo and T. Egawa: “Hydrogen plasma passivation of bulk GaAs and Al0.3Ga0.7As/GaAs multiple-quantum-well structures on Si substrates”, J. Electron. Mater., 30, 845 – 849 (2001).

　　16.T. Ogawa, G. Wang, K. Murase, K. Hori, J. Arokiaraj, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Phosphine-added hydrogen plasma passivation of GaAs solar cell on Si substrate”, IEEE Record of the Twenty-eighth Photovoltaic Specialist Conference, 1308 – 1311 (2000).

　　17.G. Wang, K. Akahori, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno:: “Investigation of electrical and optical properties of phosphine/hydrogen plasma exposed In0.49Ga0.51P grown on Si substrate”, Jpn. J. Appl. Phys., 40, L189 – 191 (2001).

　　18.G. Wang, T. Ogawa, K. Murase, K. Hori, T. Soga, B. J. Zhang, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo and M. Umeno: “Passivation of bulk and surface defects in GaAs grown on Si substrate by radio frequency phosphine/hydrogen plasma exposure”, Jpn. J. Appl. Phys., 40, 4781 – 4784 (2001).

　　19.G. Wang, T. Ogawa, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Passivaton of dislocations in GaAs grown on Si substrates by phosphine (PH3) plasma exposure”, Appl. Phys. Lett., 78, 3463 – 3465 (2001).

　　20.G. Wang, T. Tokumitsu, I. Hanawa, K. Sato and M. Kobayashi: “Analysis of high speed P-I-N photodiodes S-parameters by a novel small-signal equivalent circuit model”, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 12, 378 – 380 (2002).

　　21.G. Wang, T. Tokumitsu, I. Hanawa, Y. Yoneda, K. Sato and M. Kobayashi: “A time-delay equivalent circuit model of ultra-fast P-I-N photodiodes”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 51, 1227 - 1233 (2003).

　　22.G. Wang, M. Takechi, K. Araki, T. Tokumitsu, I. Hanawa, Y. Yoneda, K. Sato and M. Kobayashi: “Wide bandwidth, high performance waveguide-integrated P-I-N photodiodes for 40 Gbits/s receiver modules”, 2003 IEEE MTT-S Digest, 151 – 154 (2003).

　　23.G. Wang, I. Hanawa, H. Aono, Y. Yoneda, T. Fujii, K. Sato and M. Kobayashi: “Highly reliable high performance waveguide-integrated InP/InGaAs pin photodiodes for 40 Gbit/s fiber-optical communication application”, Electron. Lett., 39, 1147 – 1149 (2003).

　　出版書(shū)籍：

　　1、《電子器件》(邵春林，王鋼 共譯)科學(xué)出版社 2001年3月第一版發(fā)行.

　　2、《GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)》(王鋼 譯)中國(guó)石化出版社 2005年8月第一版發(fā)行.

　　合作出版：

　　1、「半導(dǎo)體受光裝置」王鋼、米田昌博　特愿2002-274304(2002年9月20日提出).

　　2、「半導(dǎo)體受光裝置」王鋼、米田昌博　特愿2002-274305(2002年9月20日提出).

　　獲獎(jiǎng)情況：

　　(株)富士通量子器件公司年度最佳論文獎(jiǎng)(2003)