由南昌大學(xué)承擔(dān)的863計(jì)劃新材料領(lǐng)域課題“硅基鎵氮固態(tài)光源關(guān)鍵技術(shù)研究”日前通過(guò)了驗(yàn)收。該課題在第一代半導(dǎo)體材料硅襯底上研制成功第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵基藍(lán)色發(fā)光二極管，處于國(guó)際領(lǐng)先地位，并在全球率先實(shí)現(xiàn)了小批量生產(chǎn)。

　　目前市場(chǎng)上出售的氮化鎵發(fā)光二極管都是以藍(lán)寶石或碳化硅作為襯底，其基本專利分別為日美發(fā)達(dá)國(guó)家所壟斷。以硅作為襯底生長(zhǎng)氮化鎵發(fā)光材料是業(yè)界的夢(mèng)想，但因?yàn)榇嬖谥T多難以克服的困難，全球許多研發(fā)機(jī)構(gòu)無(wú)功而返。南昌大學(xué)教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心在863計(jì)劃的支持下，成功地解決了國(guó)際上存在的硅襯底氮化鎵發(fā)光材料龜裂、發(fā)光二極管亮度低、工作電壓高、可靠性差等問(wèn)題，研制的硅襯底氮化鎵發(fā)光二極管材料的質(zhì)量和器件性能均處于國(guó)際同類(lèi)材料與器件中的領(lǐng)先水平，生產(chǎn)的硅襯底藍(lán)光LED 6-9毫瓦，達(dá)到了市場(chǎng)上藍(lán)寶石或碳化硅襯底GaN藍(lán)光LED中等水平，其中電學(xué)性能和可靠性可以和世界頂尖級(jí)藍(lán)寶石或碳化硅襯底GaN發(fā)光器件媲美。目前產(chǎn)能達(dá)到了40萬(wàn)只/天，在制造成本、可靠性等方面具有明顯優(yōu)勢(shì)。此產(chǎn)品的研制成功，改變了日美等發(fā)達(dá)國(guó)家壟斷LED核心技術(shù)的局面，走出了一條有我國(guó)特色的LED發(fā)展之路。（編輯;ZQY）