A) 材料的有效使用率低

　　目前可供有效選擇的廠商很有限，所設(shè)計的系統(tǒng)要有效的利用極昂貴的有機(jī)材料和摻雜物;目前利用率普遍低于 10 % 以下，全彩色制作過程的利用率更低。

　　B) 摻雜物 (Dopant) 的濃度控制難以精確

　　以摻雜物 0.5~1% 的低分散率而言，因整個系統(tǒng)及溫度控制和物質(zhì)本身的理化特性，使得濃度比例不容易控制，而摻雜物的濃度又是器件結(jié)構(gòu)的重要因素，這就使得量產(chǎn)過程所需的精確度和可操作性更加困難。

　　C) 蒸鍍速率不穩(wěn)定

　　蒸鍍物質(zhì)的純度和系統(tǒng)溫控的方式導(dǎo)致蒸鍍速率不穩(wěn)定。

　　D) 基板鍍膜的均勻度不夠

　　這主要還是因為蒸發(fā)源和加熱舟設(shè)計對有機(jī)材料缺乏針對性。

　　E) 真空室的污染

　　因為材料利用率不佳，所以造成極大部分材料沾粘在腔壁及其它各零件上而變成粉塵即污染源，影響制造器件的產(chǎn)率。針對蒸鍍 鍍膜均勻性不夠的問題，日本 Vieetech Japan 公司提供一套解決的方案(見下圖)，它透過窄口寬底和大容量的 PBN 坩堝，提供一個在研發(fā)和量產(chǎn)上應(yīng)用的裝載有機(jī)材料時的裝置。尤其它針對有機(jī)材料而設(shè)計的 Thermoball 粒子，可以解決有機(jī)材料導(dǎo)熱不良和材料利用率低的問題;配合二段式加熱和測溫、 PID 控溫系統(tǒng)，可以做到及時的準(zhǔn)確溫度反饋并做到溫控差異在 ± 0.1 ℃ 之內(nèi)，可以使蒸鍍速率穩(wěn)定;另外特殊的摻雜物 Dopant Insert 和 PID 控溫系統(tǒng)，使 0.5~1 % 的摻雜物比例恒定而穩(wěn)定。

　　金屬電極的制作工藝

　　金屬電極的制作工藝要在與有機(jī)材料薄膜蒸鍍室相隔絕的真空腔室中進(jìn)行。由于金屬電極多使用低功函數(shù)的活潑金屬，在有機(jī)材料薄膜蒸鍍沉積工藝結(jié)束后 , 不要讓帶有有機(jī)材料薄膜的基板暴露在空氣中 , 將其移至金屬電極蒸鍍室。常用的金屬電極有 Mg/Ag 、 Mg:Ag/Ag 、 Li/Al 、 LiF /Al 等 , Mg/Ag 要采用共蒸發(fā)法形成薄膜 , 其他采用分層蒸發(fā)法 , 一般金屬材料的氣化溫度在 450℃ -1200℃ 高溫下 , 所以要防止金屬蒸發(fā)源熱輻射對基板上的有 機(jī)材料薄膜的不良影響 , 將基板溫度控制在 80℃ 以下。對于合金金屬電極要進(jìn)行蒸鍍后處理 , 在合金金屬電極膜上面再鍍上一層惰性金屬膜 , 如 Mg:Ag (10:1) 合金上鍍上一層銀保護(hù)層 , 使其成為 Mg:Ag /Ag, 對于 Li/Al 就成了 Li: Al /Al 。在蒸鍍有機(jī)材料薄膜和金屬薄膜時要維持 10 ?? 帕以上的真空度，否則會影響有機(jī)材料薄膜和金屬薄膜的質(zhì)量和器件的壽命。

　　OLED 器件防老化處理

　　OLED 器件的有機(jī)薄膜及金屬薄膜與水和空氣會立即氧化變壞 , 一定要采取措施避免這個問題?？刹捎脽o機(jī)膜保護(hù)法 , 無機(jī)膜保護(hù)材料有氮化硅 , 氟化鎂 , 氧化銦等 , 采用電阻加熱法或磁控濺射法制備無機(jī)保護(hù)膜材料。在保護(hù)膜形成之后 , 將制作的器件進(jìn)行封裝 , 封裝工藝一定要在 無水無氧的惰性氣體中進(jìn)行 , 封裝材料包括粘合劑和覆蓋材料。(編輯：ZQY)