產(chǎn)品介紹：

目前，大功率陶瓷封裝LED在戶外照明，方向光要求高的室內(nèi)照明，便攜式照明應用領(lǐng)域（比如手機閃光燈）是主流產(chǎn)品。這個產(chǎn)品領(lǐng)域，國內(nèi)市場長期被國際大廠的產(chǎn)品霸占。比如國內(nèi)路燈主要還是用CREE，飛利浦， OSRAM的XPE，XTE，Luxeon T， Luxeon Q， Oslon等產(chǎn)品。

為了開發(fā)更高性能的大功率LED光源，晶能光電從2011年開始研究用于陶瓷封裝的大功率倒裝芯片。兩年來，我們開發(fā)了一系列大功率倒裝芯片關(guān)鍵技術(shù)，于2013年6月最早在國內(nèi)實現(xiàn)了倒裝LED芯片量產(chǎn)。

晶能光電大功率倒裝芯片產(chǎn)品系列包括35mil， 45mil和55mil產(chǎn)品，客戶用我們的芯片結(jié)合陶瓷封裝技術(shù)，用共晶焊，無打金線，可以制造1-5W的大功率LED。客戶也可以用多顆倒裝芯片結(jié)合陶瓷封裝生產(chǎn)5-100W的大功率array產(chǎn)品和高端COB產(chǎn)品。

 這些產(chǎn)品比傳統(tǒng)的大功率仿流明封裝和貼片式封裝有更好的可靠性，抗?jié)瘢拐穑?/span>抗高溫能力和更好的大電流工作性能。

產(chǎn)品名稱：倒裝LED芯片產(chǎn)品系列（以45mil芯片為例）

產(chǎn)品型號：LPFBD45A

主要性能參數(shù)：

芯片尺寸：45x45x6mil

焊盤尺寸：P焊盤：6.0mil×43.6mil; N焊盤：35mil×43.6mil

Vf：2.8-3.0V，主波長：450-460nm

光功率Po：裸芯主BIN在525-550mW@350mA，封裝后藍光出光可達705mW（350mA），白光發(fā)光效率可達160lm/W（5000-6000K）

主要用途：

采用晶能光電的倒裝芯片封裝而成的LED產(chǎn)品在電壓，流明瓦光效等性能上完全可以和CREE，飛利浦，日亞，Osram的大功率LED產(chǎn)品媲美，在很多應用上可以直接替代他們的產(chǎn)品。主要用于戶外照明（道路，隧道等，洗墻燈，等等）、便攜式照明（手機閃光燈，手電，臺燈等等），室內(nèi)照明（筒燈，射燈，PAR/BR燈，球泡燈等等），背光（直下試電視背光）等

功能特性：

（1）和傳統(tǒng)正裝LED相比，倒裝LED芯片不用打線，固晶過程是共晶回流焊，和陶瓷封裝結(jié)合起來，芯片的可靠性遠遠比一般的銀膠固晶，打線的正裝LED芯片好。

（2）同時倒裝芯片用銀取代正裝的ITO做P電極，電流擴散明顯提高，在大電流情況下出光droop明顯減少，大電流下電壓明顯降低。

（3）傳統(tǒng)正裝芯片通過藍寶石散熱，倒裝芯片藍寶石在上面，避開了藍寶石散熱不好的缺點。

（4）芯片級封裝（CSP）都是要基于倒裝芯片，正裝的打線芯片無法做芯片級封裝，或者無封裝LED產(chǎn)品。

技術(shù)原理：

大功率倒裝LED芯片用PSS藍寶石外延，結(jié)合Ag反射鏡技術(shù)，和金屬-絕緣層-金屬（M-I-M）的多層技術(shù)，AuSn共晶焊技術(shù)。（1）LED的P電極采用純銀，銀同時也是一個>98%反射率的反射層。（2）用絕緣層覆蓋P電極，在VIA洞的底部刻蝕掉絕緣層暴露出N-GaN （3）第四步在絕緣層上面鍍N電極， N電極通過VIA和N-GaN接觸。N電極和P電極的靠絕緣層隔離。（4）第五步，在兩個電極上鍍AuSn共晶焊。

芯片設(shè)計如顯示圖所示：

 芯片和封裝好的LED照片如下

關(guān)鍵技術(shù)及創(chuàng)新點：

1）開發(fā)了一套銀反射鏡P電極技術(shù)，反射率可以達到98%以上，并且350mA下的芯片電壓可以做到2.8V以下。2）絕緣層經(jīng)過很多的優(yōu)化，應力調(diào)整達到了高致密，強粘附性，起到了優(yōu)良的絕緣。我們成功的開發(fā)了AuSn共晶技術(shù)用在了LED芯片上。

倒裝芯片看似簡單，但是其中涉及到的制程優(yōu)化和制程復雜性要遠遠超過正裝芯片。晶能光電開發(fā)的幾個制程上的，和生產(chǎn)上的突破能夠保證我們的倒裝芯片有良好的性能，可靠性和良率。

專利和技術(shù)水平：

晶能光電開發(fā)的倒裝芯片技術(shù)和制程可以達到良好的性能，可靠性和良率，在國際同行業(yè)居領(lǐng)先水平。

附件：1、用戶應用證明

2、檢測報告

1）國家半導體聯(lián)盟實驗室（常州）測試報告

 2）FC芯片應用于LED路燈模組的檢測報告