晶能光電硅基大功率LED藍(lán)光芯片創(chuàng)造性地使用硅代替藍(lán)寶石或碳化硅作為襯底制造氮化鎵基LED器件，結(jié)合了高效GaN外延技術(shù)和具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的硅襯底LED芯片技術(shù)，是目前全球唯一商品化的硅基大功率產(chǎn)品。具有完整的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)，產(chǎn)品可銷往國(guó)際市場(chǎng)，不受國(guó)際專利限制，是名符其實(shí)的中國(guó)芯。
    45mil的硅基LED芯片發(fā)光效率超過130lm/W，封裝后藍(lán)光功率最高可達(dá)615mW，白光光通量最高可達(dá)145lm。硅基LED芯片具有垂直結(jié)構(gòu)、正向電壓低、發(fā)光呈朗伯分布的特點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于便攜式照明、LCD背光、戶內(nèi)照明和戶外照明。目前已經(jīng)成功應(yīng)用于路燈、球泡燈、手電筒、礦燈頭燈等室內(nèi)外中高端照明產(chǎn)品。
    硅基LED芯片具有以下特性：
    1、采用銀反射鏡電極，電流分布更均勻，可用大電流驅(qū)動(dòng)。
    2、硅襯底比藍(lán)寶石襯底散熱好。
    3、具有朗伯發(fā)光形貌，白光出光均勻，容易二次配光。
    4、打線少，可靠性高。
    5、可采用導(dǎo)電銀膠，焊錫或共晶焊固晶。
    6、硅基LED芯片單面出光，且分布均勻，適合做熒光粉直涂的直接白光芯片，降低封裝成本。
    7、適合于陶瓷基板封裝。
 

        獲獎(jiǎng)情況
        1、硅襯底GaN基LED藍(lán)綠光芯片項(xiàng)目榮獲“2008中國(guó)LED技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”。
        2、 硅襯底功率型藍(lán)光LED芯片榮獲“2009年度中國(guó)LED技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”。
        3、晶能光電榮獲2010年全球清潔技術(shù)企業(yè)100強(qiáng)。
        4、晶能光電榮獲2011年世界最具創(chuàng)新力企業(yè)50強(qiáng)。
        5、晶能光電的硅基大功率LED芯片量產(chǎn)被國(guó)際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟（ISA）評(píng)選為2012年全球半導(dǎo)體照明年度事件。
        6、GaN-On-Si LED外延芯片制備技術(shù)/硅基大功率藍(lán)光芯片榮獲“2012年中國(guó)LED創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎(jiǎng)”

    晶能光電產(chǎn)品專利所獲專利列表：

        晶能產(chǎn)品檢測(cè)報(bào)告：

        第三方檢測(cè)報(bào)告：

        晶能產(chǎn)品用戶證明：