投資要點：
　　我們建議從戰(zhàn)略角度來看待中國IGBT行業(yè)的投資機會。我們認為中國IGBT市場未來五年將保持復(fù)合25%以上增速增長，市場容量由09年35億元成長至100億元。而未來本土企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新突破推動中國IGBT市場出現(xiàn)“進口替代”的現(xiàn)象，從而凸顯本土企業(yè)的投資價值。
　　節(jié)能減排、低碳經(jīng)濟，這意味著未來提高能效成為經(jīng)濟發(fā)展的首要因素，這無疑推動功率市場加速繁榮。而IGBT是功率器件的大勢所趨，成為投資首選。
　　IGBT正處在發(fā)展初期，技術(shù)的成熟與應(yīng)用領(lǐng)域的壯大推動IGBT市場高成長。我國智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)與家電節(jié)能領(lǐng)域成為IGBT市場成長的主體。
　　我們認為我國IGBT產(chǎn)業(yè)已經(jīng)初具規(guī)模，同時擁有本土市場優(yōu)勢（智能電網(wǎng)建設(shè)、高鐵建設(shè)與全球最大的家電制造基礎(chǔ)），這有利于本土企業(yè)獲得更好的成長。
　　我們認為2010年將是華微電子基本面發(fā)生改變的第一年，隨著功率市場繁榮，華微電子未來業(yè)績將獲得高速的增長。而以IGBT為代表的新一代功率器件的突破更提升其投資價值，成為目前功率器件投資最佳標的。

　　1、技術(shù)突破：目前公司6寸MOSFET生產(chǎn)線已經(jīng)獲得良好的技術(shù)突破，已經(jīng)能夠生產(chǎn)出1200V/35A的IGBT器件，產(chǎn)量約為4000片/月，若算上VDMOS/D-MOS產(chǎn)品，該生產(chǎn)線月產(chǎn)已達10000片。
　　2、模式轉(zhuǎn)變：由代工企業(yè)轉(zhuǎn)變?yōu)樽凿N企業(yè)。這有利于企業(yè)更直接分享中國功率市場繁榮，提升企業(yè)的發(fā)展空間與競爭力。
　　3、業(yè)績反轉(zhuǎn)：傳統(tǒng)業(yè)務(wù)借助家電內(nèi)需、節(jié)能燈市場繁榮而加速復(fù)蘇。麥吉柯廠隨著自銷市場開拓提升其收入增長與利潤增長。IGBT等中高端功率器件量產(chǎn)帶來業(yè)績增量。
　　我們預(yù)測華微電子2010年~2012年EPS分別為0.26、0.40與0.57元。未來業(yè)績?nèi)杂谐A(yù)期可能。建議投資者積極配置。