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通富微電擬設(shè)研發(fā)中心促封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)化

公告日期:2010/9/1          


□ 本報(bào)記者 曹衛(wèi)新

今日,通富微電披露,公司擬與關(guān)聯(lián)公司富士通半導(dǎo)體株式會(huì)社(簡(jiǎn)稱“富士通半導(dǎo)體”)合作,建立研發(fā)平臺(tái),利用半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的機(jī)遇加快先進(jìn)封裝技術(shù)成果的轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)化。




據(jù)悉,研發(fā)中心設(shè)在公司,研發(fā)中心主任由公司董事長(zhǎng)石明達(dá)擔(dān)任,兩名副主任分別由雙方各推薦一名擔(dān)任,富士通半導(dǎo)體將委派3-4名研發(fā)人員在研發(fā)中心工作。雙方共同協(xié)商制定研發(fā)中心的研發(fā)戰(zhàn)略、方向及項(xiàng)目。在今后1-2年內(nèi),研發(fā)的重點(diǎn)是Fan-Out WLP、Low Cost FCBGA 等技術(shù)。至于研發(fā)過(guò)程中形成的專利技術(shù),根據(jù)貢獻(xiàn)度確定專利所有,雙方均可使用該項(xiàng)專利技術(shù)。

雙方已于2010年8月30日簽署了 《合作設(shè)立研發(fā)中心意向書(shū)》,具體合作事宜有待于進(jìn)一步協(xié)商,并通過(guò)簽署正式協(xié)議的方式確定。公司表示,研發(fā)中心的設(shè)立,將加大公司研發(fā)新型封裝產(chǎn)品和技術(shù)的力度,不僅有利于公司綜合技術(shù)水平的提升,還將加快先進(jìn)封裝技術(shù)成果的轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)化。同時(shí),對(duì)優(yōu)化公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品技術(shù)處于行業(yè)領(lǐng)先地位的目標(biāo)也會(huì)產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性的積極作用。



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